硅锭设备

硅锭设备,索比光伏网为您提供硅锭设备相关内容,让您快速了解硅锭设备最新资讯信息。关于硅锭设备更多相关信息,可关注索比光伏网。

结构、衰减与性能--单晶与多晶的本质透析来源: 发布时间:2016-03-15 14:55:59

多晶的本质是一种有瑕疵的单晶,历史上最早用于生产太阳能电池的硅片并不像今日使用专门的设备生产的单晶硅片或者多晶硅片,而是使用半导体晶圆的边角余料或者残次品,价格相当昂贵。随着半导体晶圆的合格率逐渐
提高,市场可供应的残次品晶圆越来越少。当人们希望普及硅基太阳能电池的时候,还没有出现专门的太阳能单晶硅生产设备,半导体晶圆生产太阳能电池的成本令人望而生畏,人们转而使用浇铸、铸锭、定向凝固的方法生产

从结构、衰减、性能透析单晶与多晶本质来源:索比光伏网 发布时间:2016-03-15 14:51:11

多晶的本质是一种有瑕疵的单晶 历史上最早用于生产太阳能电池的硅片并不像今日使用专门的设备生产的单晶硅片或者多晶硅片,而是使用半导体晶圆的边角余料或者残次品,价格相当昂贵。随着半导体晶圆的合格率逐渐
提高,市场可供应的残次品晶圆越来越少。当人们希望普及硅基太阳能电池的时候,还没有出现专门的太阳能单晶硅生产设备,半导体晶圆生产太阳能电池的成本令人望而生畏,人们转而使用浇铸、铸锭、定向凝固的方法生产

“两会”为太阳能产业定性 英利等光伏企业“走出去”更有劲头来源:英利集团宣传部 发布时间:2016-03-14 17:44:47

产业发展的序幕。多年来,依托光伏材料与技术国家重点实验室和国家能源光伏技术重点实验室等四大国家级研发平台,英利坚持以创新促发展,走出了从引进消化吸收再创新到自主创新的发展道路。中国第一台线锯设备、第一台铸锭炉
、第一台全球最大的油加热层压机、第一块240公斤硅锭都相继出现在英利,成为我国光伏产业发展的历史性事件。近年来,英利始终坚持技术攻坚,截至2015年年底,英利申请PCT国际专利13项,中国专利2006

推荐5股大概率高增长分布式光伏组合来源:中国证券网 发布时间:2016-03-11 09:55:00

互联网的发展趋势。推荐现价买入一季报大概率高增长组合:京运通、林洋能源、阳光电源、隆基股份、协鑫集成,看好30%超额收益空间。   京运通(601908):公司传统主业为光伏设备硅锭及硅片制造等

光伏行业研报:重点推荐分布式光伏组合来源: 发布时间:2016-03-11 00:32:59

。推荐现价买入一季报大概率高增长组合:京运通、林洋能源、阳光电源、隆基股份、协鑫集成,看好30%超额收益空间。京运通:公司传统主业为光伏设备硅锭及硅片制造等,受益国内装机需求持续增长,出货量及业绩贡献

晶龙向有竞争力的光伏项目再创业来源:河北日报作者:宁旭青、王丽英 发布时间:2016-03-10 23:59:59

更加突出。近日,走进晶龙阳光设备公司铝边框木托生产车间,看到在洁净的车间内机器轰鸣,铝边框经过切割、压印、冲孔、检测即被封装发货;木托盘经过检验、切割、组装即被封装发货。我们二次创业的步伐已经迈出,这个
铝边框木托项目就是以晶澳市场需求为动力而量身定做,目前已成为公司最重要的利润增长点。晶龙集团副总经理、阳光设备公司总经理刘英江说。据统计,铝边框木托项目自投入运营以来,已为企业创效500余万元

推荐5股:分布式光伏组合来源:中国证券网作者:申万宏源 发布时间:2016-03-10 23:59:59

发展趋势。推荐现价买入一季报大概率高增长组合:京运通、林洋能源、阳光电源、隆基股份、协鑫集成,看好30%超额收益空间。京运通(601908):公司传统主业为光伏设备硅锭及硅片制造等,受益国内

2016第十一届中国(济南)国际太阳能利用大会 暨分布式光伏发电展览会来源:索比光伏网 发布时间:2016-03-08 11:18:10

。 4、光伏材料及辅料:硅料、硅锭/硅块、硅片、封装玻璃、封装薄膜、其他原料等。 5、光伏生产设备:硅棒硅块硅锭生产设备、硅片晶圆生产设备、电池生产设备、电池板/组件生产设备等。 6、太阳能应用

放眼拉美市场 晶澳巴西打造300MW组装厂来源: 发布时间:2016-02-17 09:29:59

硅基组件超级联赛(SMSL)成员,晶澳太阳能与组件组装设备专家,苏州宏瑞达新能源装备有限公司就巴西一座尚未宣布的发电设施的300兆瓦交钥匙组件组装线签署订单。据宏瑞达网站上发布的一段简短声明显示,该
市场占有率并扩大在该地区的足迹。晶澳太阳能总裁谢剑评论道, 我们预计2016年将会是市场强劲的一年。晶澳太阳能目前正着手在2016年中期进行产能扩张以满足需求,包括将硅锭/硅片产能再提升500MW至1.5G

【干货】晶硅光伏电池漏电的主要因素分析来源:索比光伏网作者:李吉 靳迎松等 发布时间:2016-01-27 23:59:59

造成的。刻蚀不完全主要是由于硅片边结由于设备原因或人为原因未去除干净,导致漏电过大的异常现象主要有以下原因:1)刻蚀功率过小;2)刻蚀时间不足;3)刻蚀压力波动导致刻蚀不均;4)刻蚀时机台故障,以致
可能造成漏电如图9所示,Si3N4颗粒主要来源:1)铸造多晶硅时在坩埚表面喷涂的Si3N4脱落融入硅锭所致;2)镀膜时SiH4的含量偏高,形成Si3N4颗粒。Si3N4颗粒的晶粒贯穿电池片的层错,使PN