硅薄膜电池

不仅带来了额外的设备投资要求，还对生产电池片的良率和生产效率造成一定程度的影响。 HJT电池优于PERC电池的之处在于非晶硅薄膜的沉积，故也导致了两者制备工艺上最大的不同。虽然PECVD作为沉积镀膜的

，并在电池顶部设计透明导电的TCO薄膜：(1)非晶硅层可有效降低表面悬挂键的密度，从而达到良好的界面钝化作用;(2)TCO薄膜可以实现导电、减少反射、同时保护非晶硅薄膜等重要作用。HJT电池具有开路

的平台级技术 自20世纪80至90年代日本Sanyo研发出并确定本征非晶硅薄膜/单晶硅衬底的异质结结构之后，异质结电池(HJT/HIT)的转换效率即在晶硅太阳能电池中位居前列，近期未叠加其他技术的

建设、运营，是北方华创重要客户。 拓日新能：实现光伏全产业链布局，产业链涵盖了非晶硅薄膜电池、晶体硅太阳电池、太阳能应用产品、光伏玻璃和光伏支架等领域，同时拥有太阳能发电投资运营业务。
转为市场导向，也预示着光伏市场存在较大增长空间。 相关公司方面，据主题库光伏 板块显示 隆基股份：全球单晶光伏产品龙头;业务覆盖光伏全产业链，包括单晶硅棒、硅片、电池和组件的研发、生产，光伏电站的

示意图 资料来源：OFweek行业研究中心 2、HIT电池工艺流程 HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，总共分为四个步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备。 图表2
：HIT太阳能电池工艺流程 资料来源：OFweek行业研究中心 制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，其对工艺清洁度要求极高，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，目前通常用PECVD法制备。 HIT

沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势。 招商证券最近的研报中提到，HIT电池具有高效率、低衰减、低温度系数、高双面率等诸多优势，优势显著存在溢价。 目前海外23%效率的HIT电池

关键时期，关注布局N-HJT的电池企业。 事件驱动 上市公司竞相布局 晶体硅异质结太阳电池(HIT/HDT)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有结构简单、工艺温度低

了0.5。 如今HIT是蓄势待发，而关于HIT，你知道多少?HIT问世已30年，技术积累带来突破。未来又将如何发展? 异质结电池从萌芽走向成熟 HIT萌芽：1989-1990年。日本三洋用非晶硅薄膜
，HIT的设备、银浆、靶材的国产化都有重大突破，效率也提升到了24%以上。其中最关键的是MBB多主栅技术的引入，电池的单片银浆消耗量大幅下降，银浆成本下降。同时由于主栅更细，遮光更少，电池效率还得到提升

背面场(Al-BSF)到钝化发射机和背电池(PERC)技术，因为后者能与用于标准技术的现有生产线兼容。不过，依靠氢化非晶硅(a-Si:H)实现优异的晶体硅(c-Si)表面钝化性将使得将硅薄膜生产线
摘要 异质结技术是目前硅光伏行业积极讨论的热门话题。Hevel最近成为首批采用其旧的微晶组件生产线用于生产高效硅异质结(SHJ)太阳能电池和组件的公司之一。根据Hevel自身的经验，本文将介绍从