硅薄膜电池

硅基薄膜工艺形成p-n结发射区，制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度(200℃)，避免了传统晶体硅电池形成p-n结的高温(950℃)。可以降低能耗、减少对硅片的热损 伤。 ③获得较高的转换效率
58.3亿元，制绒设备市场空间为25亿元。 HJT电池设备以国外为主，国产企业加速国产化。HJT电池的生产流程包括制绒、非晶硅薄膜沉积、TCO(透明氧化物导电薄膜)沉积、丝网印刷四步。对各个环节的

使电池效率进一步提升。在硅片表面同时采用本征的非晶硅进行表面钝化，在背面分别采用N型和P型的非晶硅薄膜形成异质结。其优点是利用非晶硅优越的表面钝化性能，并结合IBC结构没有金属遮挡的结构优点，采用相同的器件
1975年，Schwartz首次提出背接触式太阳电池，最初应用于高聚光系统中。经过多年的发展，研发出了交叉指式背接触(IBC，Interdigitatedbackcontact)太阳电池。 IBC

异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。 工艺流程简单 异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
如下： 01 制绒清洗机 ： 电池正反面制绒 02 等离子体增强化学气相(PECVD) 沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)， 沉积反面沉积

逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。 工艺流程简单 异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的 HELiA PECVD 及沉积电池正反面

异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。 工艺流程简单 异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
如下： 01、制绒清洗机 ： 电池正反面制绒 02、等离子体增强化学气相(PECVD) 沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)， 沉积反面沉积本征

中国首富。 1963年出生的施正荣是江苏扬中市人，在国内读完研究生后，于1988年去澳大利亚留学，师从世界太阳能电池领域的权威、被誉为太阳能之父的马丁格林，3年后以优秀的多晶硅薄膜太阳电池技术获
博士学位。 2000年，已经加入澳大利亚国籍的施正荣，带着40万美元和10多项太阳能电池技术方面的发明专利回国，创办无锡尚德太阳能电力公司，仅用了5年时间，公司就在美国纽约证券交易所上市。那几年，创造了

性价比提升超越 PERC，则有望激发现有产 线改造需求，延长现有产线生命周期，建议积极关注后续产业化进展。 3)HJT 电池： HIT 工艺步骤简单，仅有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、透明导电膜制备和
的关键：这一步骤的作用在于实现异质结界面的良好钝化，以获得高效率的异质结 电池。本征非晶硅薄膜沉积采用化学气相沉积法，根据所用设备的不同，可分为PECVD和HWCVD两种，目前PECVD 为主流路线

师从世界太阳能之父、2002年诺贝尔环境奖得主马丁格林教授，并且于1991年以多晶硅薄膜太阳电池技术获得博士学位。不过他没有启动资金，他的个人储蓄只有40万美元，而启动项目需要800万美元。因此，他
。 开始的三年，尚德虽然在技术上持续向好，但却发展艰难。当时市场非常狭小，光伏电价又太昂贵，施正荣带着团队一直苦熬着。 2004年，随着欧盟多国补贴光伏发电，光伏电池市场井喷。尚德因为布局早、技术领先

异质结是光伏行业的第五次技术革命。相较于传统电池，异质结电池生产工艺步骤大幅减少，主要工艺仅4步，分别为制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备，对应设备为制绒机、HWCVD/PECVD
、PVD/RPD、丝网印刷+烧结炉。 异质结电池优势 ◼ 最简洁4步工艺流程 ◼ 最高转换效率 ◼ 最低温度系数 ◼ 最佳双面效益 ◼ 无光致衰减(LID) ◼ 无电位衰减(PID

在电池端的转换效率优势逐步体现。2018 年以来，随着 PERC 电池片技术的推出，单晶硅片转换效率优势更为明显，电池片厂商主动向单晶 PERC 产线转移， 单晶逐步完成对多晶的替代
1~2 个数量级，达到毫秒级。由于 N 型硅片掺磷元素，磷与硅相溶性差，拉棒时磷分布不均，N 型硅片生产工艺和P 型硅片相比难度较大。通过 N 型单晶硅片生产的N 型电池组件在发电转换效率和后期