硅薄膜电池

自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%等。《专项规划》还对大规模并网电站、分布式发电、直流并网、太阳能热利用等方面提出了具体要求。为实现以上目标，《专项规划》明确了十二五期间光伏技术发展的
太阳能技术的保障措施。《专项规划》首先分析了国内外太阳能行业的形式，指出晶体硅太阳电池市场份额超过85%，未来10-20年内仍将是市场主流；薄膜太阳电池市场份额约占15%，技术向着高效率、稳定和长寿命的方向

最高技术水平，能够大规模量产具有完全自主知识产权的太阳能电池。以薄膜太阳能技术演进为例，目前汉能控股集团自主研发的环保无污染第二代、第三代非晶硅薄膜技术，具有自主知识产权，产品获得欧洲严格的认证，已经
达到了世界先进水平，光伏建筑一体化并网技术和弱光发电等技术也取得了重大突破。同时，与传统的晶体硅电池相比，薄膜太阳能电池由于具有原材料省、低能耗、无污染、低成本、便于大面积连续生产等显著的优势，在促成

全球太阳能光伏市场自去年下半年开始步入寒冬期，无疑对中国的相关产业也提出了警示4月初，世界光伏电池制造龙头企业德国Q-Cells公司宣布破产。这个消息不仅震惊了德国，也使整个太阳能产业寒意更浓。受
产品廉价倾销。欧洲各国的效仿，对国内光伏企业的打击将更加沉重。我国太阳能产业起步虽晚，但发展迅猛。中国太阳能电池产量2004年仅占全球市场的5%;2007年产量跃居全球首位;2010年所占全球份额已经超过

，综艺光伏生产的非晶硅薄膜太阳能电池继２０１０年获得欧洲ＴＵＶ认证后，于２０１１年先后顺利通过了国内金太阳认证，英国ＭＣＳ认证和美国ＵＬ认证。２０１１年底，综艺光伏获得了国家高新技术企业认定，成为公司
拓展一体两翼（以新能源为龙头，以信息科技和股权投资为两翼）发展战略并取得重要成就的一年。公司大举投入、全面拓展海外光伏系统集成业务，大力推进非晶硅薄膜生产双线调试生产和技术升级，大大提升了新能源产业在

，结果见表1。丝网印刷正背电极以及铝背场，烧结制成成品电池片。表1氮化硅薄膜的结构参数(折射率在633nm处)3结果与讨论图1给出了表1中对应的未印刷电极时氮化硅减反膜在空气中的反射率，可以看出在短波部分
曲线图2为表1中三种结构参数氮化硅薄膜做成成品电池后在空气中的表面反射率，结果和未印电极时的表面反射率(图1)吻合，即短波部分(350-550nm)双层膜比单层膜具有更低的反射率，且增加底层氮化硅的折射率

材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成"交钥匙"工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池

50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。为保证《规划》顺利

能力；（3）单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%；（4）突破100MW级并网光伏电站、100MW级城镇多点接入生态居住小区光伏系统技术、10MW
膜太阳电池中试制造技术，非真空电沉积柔性CIGS薄膜太阳电池中试制造技术，量子点电池、热光伏电池、硅球电池、多晶硅薄膜电池、有机电池等新型太阳电池的前沿制备技术,高温直通式真空管及槽式聚光集热实验平台等

解决方案的研究，预计2013年四季度将投入大规模生产。他表示目前不能透露具体细节，但公司代表将参加今年六月举行的Intersolar欧洲展并展出最新产品。他表示，该电池可用于支持6kW的光伏系统运行
。该项技术正应用于锂离子电池。Yun Ju 表示，一般来说这非常昂贵，但不远的将来，LG将在该领域达到成本竞争力。此外，LG还将为通用汽车制造电池。除了储能解决方案，LG光伏部门正计划在2013年推出

光伏储能解决方案的研究，预计2013年四季度将投入大规模生产。他表示目前不能透露具体细节，但公司代表将参加今年六月举行的Intersolar欧洲展并展出最新产品。他表示，该电池可用于支持6kW的光伏系统运行
。该项技术正应用于锂离子电池。Yun Ju 表示，一般来说这非常昂贵，但不远的将来，LG将在该领域达到成本竞争力。此外，LG还将为通用汽车制造电池。除了储能解决方案，LG光伏部门正计划在2013年推出