硅片半导体硅片材料

AFTER COMBUSTION IN AN INDUCTION FURNACE感应炉内燃烧后红外吸收法测定硅粉中总碳含量的测试方法》标准，于2015年1月由国际半导体设备与材料协会（SEMI）正式发布
，两次修改标准文本，前后历时近两年半，于2015年1月顺利通过国际半导体设备与材料协会SEMI总部的审核并批准发布。该标准成功的为硅粉产品的生产、检验及质量控制等提供有效的参考依据，填补了相关领域的

焦显微镜法》和《晶体硅片腐蚀速率测试方法：称重法》。 SEMI标准对全球光伏产业的规范及健康发展起着越来越重要的作用。据悉，目前SEMI中国光伏标准技术委员会设立了8个工作组，包括了硅材料、硅片

索比光伏网讯:日前，世纪新能源网记者从国际半导体设备材料产业协会获悉，SEMI在美国全球总部正式发布了由中国光伏企业英利主导编制的国际标准 SEMI PV61-0115《太阳能组件用封框胶带
立项，即《基于RGB的晶体硅太阳电池颜色测试方法》、《光伏电池电极栅线高宽比测试：共聚焦显微镜法》和《晶体硅片腐蚀速率测试方法：称重法》正在加紧制定过程中。

.机械设计手册.北京：机械工业出版社，2008李保军.硅单晶锭多线切割中砂浆作用的研究.半导体技术，2007,32(6).郑远谋.爆炸焊接和金属复合材料及其工程应用.长沙：中南大学出版社，2002. 原标题:导轮对太阳能晶体硅切割质量的影响（图）

组成太阳能电池有寄生串联和并联电阻伴随。两种寄生电阻都减小填充因子。2.1串联电阻串联电阻Rs主要是半导体材料的基体电阻，金属体电阻及连接电阻、金属和半导体连接产生的电阻，即串联电阻=硅片基体电阻+横向

IT行业。协鑫不但是中国最大的硅材料企业，也是中国最大的非国有电力控股企业，未来火电、天然气、光伏、储能、节能、分布式能源和智能微网将横向整合为一个大的平台。同时也将为中国半导体产业提供IC级多晶硅料
。预计保利协鑫、特变电工和隆基硅这样的多晶硅或硅片龙头将因此而受益，保利协鑫也计划到2017年将多晶硅产能扩张到15万吨。 Solarbe为读者盘点了各地区的对华双反情况。 1、美国

、自治区的大力支持下，在光伏企业的不懈努力下，新疆光伏产业的发展取得了一系列重大进展。目前，乌鲁木齐高新技术开发区、石河子经济开发区、奎屯独山子经济技术开发区、阿拉尔高新技术开发区已形成了高纯硅材料
制造、硅棒/硅锭/硅片生产、光伏组件封装、光伏发电关键设备的开发生产能力，光伏系统整体制造水平和产品质量稳步提高，实现了规模化发展。光伏配套产业链基本形成。随着新疆特变电工新能源股份有限公司1500万吨

）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率合适，但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的早期光致衰减。我们
单晶硅棒产品质量区熔单晶硅工艺避免了直拉工艺中大量氧进人硅晶体的固有缺陷，从而彻底解决了P型（掺硼）太阳电池的早期光致衰减现象。因FZ工艺成本较高，主要用于IC和其它半导体器件的硅片制造，但目前一些公司已对

，因此可由较高昂贵的半导体材料制成，这种材料比硅更有效率。而且，它的散热性能很好，可以强烈日照下工作，聚光率可达到1600：1，远高于400：1。因此，产生与传统太阳能电池相同电量所需的材料和资金要

用低质量的硅料。2）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率合适，但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的
工艺（FZ）改进单晶硅棒产品质量区熔单晶硅工艺避免了直拉工艺中大量氧进人硅晶体的固有缺陷，从而彻底解决了P型（掺硼）太阳电池的早期光致衰减现象。因FZ工艺成本较高，主要用于IC和其它半导体器件的硅片制造