硅太阳电池

硅太阳电池,索比光伏网为您提供硅太阳电池相关内容,让您快速了解硅太阳电池最新资讯信息。关于硅太阳电池更多相关信息,可关注索比光伏网。

中建材浚鑫科技有限公司荣获2019年“光能杯”光伏行业评选“2019年度最具影响力组件企业”大奖来源:索比光伏网 发布时间:2020-04-01 14:07:57

技术研发的投入力度,重点围绕高效、低成本晶体硅太阳能光伏技术的研发、应用和推广,相继革新了晶体太阳电池多项新技术,开发出业内领先等级光电转换效率的晶体太阳电池。156多晶太阳能电池、低PID效应单晶硅

拓日新能源荣获2019年“光能杯”光伏行业评选“最具影响力EPC企业”大奖来源:索比光伏网 发布时间:2020-04-01 11:03:17

、广东省守合同重信用企业、深圳市民营领军骨干企业、海关AEO高级认证企业、深圳创新企业70强、深圳行业领袖百强企业。 拓日新能是国内首家可同时生产非晶硅、单晶硅、多晶硅三种太阳电池的企业,现已形成

对多晶硅行业误区的再认识来源:微信公众号“ 硅业分会” 发布时间:2020-03-25 17:33:31

平均利用小时数为1115小时,即每瓦太阳电池一年可以发电1.12kWh。由多晶硅光伏发电产业链全部能量消耗为1.04kWh/Wp可知,光伏发电的能量回收期为0.93年。 因此,光伏电站安装完毕消耗的
时,统一按原到户电价水平的95%结算。 但部分多晶硅企业在申请享受此次电价优惠政策时,得到的反馈却是把多晶硅行业排除在政策惠及范围之外,主要依据还是国家发改委十年前为了抑制高耗能企业盲目发展,发布的《关于

河北大学新思路降低太阳能电池制造成本!!来源:科技日报 发布时间:2020-03-19 09:30:38

日前从河北大学获悉,该校物理学院光伏技术课题组青年教师陈剑辉博士等人经过努力探索,克服高温和真空重装备的技术障碍,不断开辟晶体硅表面钝化领域新的研究方向,给未来进一步降低太阳电池制造成本提供了科学

剧透!OFweek 2020中国太阳能光伏在线展将迎重量级嘉宾来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2020-03-16 10:53:42

年1月起担任上海交通大学太阳能研究所所长。以第一作者/通讯作者发表SCI论文300余篇,授权国家发明专利29件,出版学术专著2部(《硅基异质结太阳电池物理与器件》、《太阳能光伏技术与应用》)。兼任中国
维度,本报告主要介绍两个方面的内容:一方面从半导体级硅片面积变化趋势看太阳能级硅片大小发展,另一方面从太阳电池技术变化趋势看太阳能级硅片薄片化发展。大面积硅片不仅仅打开了LCOE成本下跳的通道,更是

河北大学:多晶硅电池初步实现18.8%的电池效率来源:科学网 发布时间:2020-03-14 11:48:03

3月12日从河北大学获悉,该校物理学院光伏技术课题组陈剑辉等人经过努力探索,不断开辟晶体硅表面钝化领域新的研究方向,为太阳电池提供新的低成本技术路线,克服高温和真空重装备的技术障碍,给未来进一步降低
太阳电池制造成本提供了科学基础和技术思路。相关成果发表于《先进能源材料》。 同时,课题组与德国卡尔斯鲁厄理工学院合作,将有机钝化技术应用到碳纳米管硅异质结电池,提出了具有钝化概念功能的载流子选择

世界新纪录 阿特斯N型多晶电池转换效率突破23.81%!来源:pv-magazine 发布时间:2020-03-09 08:52:05

阿特斯阳光电力集团2020年3月6日发布新闻宣布,公司技术团队研发的N型大面积高效多晶太阳电池转换效率达到23.81%,创造了新的大面积多晶电池转换效率世界纪录。 此次破纪录的太阳能电池
应用了阿特斯自主研发的P5高效电池技术,该结果获得了德国哈梅林太阳能研究所(ISFH)的测试认证。 这是阿特斯在最近9个月内第三次创造多晶太阳电池转换效率世界纪录(前两次阿特斯创造的P型多晶电池换效率世界纪录

英利荣膺“2019年度企业标准化工作先进单位”来源:英利集团 发布时间:2020-03-06 10:13:00

河北省系列技术标准创新族项目;筹建成立SEMI中国晶体太阳电池工作组和光伏建筑一体化工作组并担任组长单位。截至目前,主持和参与国内外各类标准共计98项,位居全国光伏行业前列。 2020年,英利将

光伏印刷设备:印刷氧化铝技术在黑硅PERC多晶太阳电池中的应用来源:太阳能杂志 发布时间:2020-03-05 14:47:35

黑硅PERC 多晶太阳电池采用背抛光工艺,其背面刻蚀深度在4.00.2 m,在800~1050 nm的光学波长范围内,其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右;采用氧化铝及氮化硅

天合光能N型i-TOPCon太阳电池效率突破24.58%来源:环球财富网 发布时间:2020-03-04 15:29:14

太阳电池采用了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底,集成超薄隧穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术,利用量子隧穿效应和表面钝化,实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到24.58%。该结果