部《光伏制造行业规范条件》(2015年本)相关产品技术指标要求。其中,多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%;高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;硅基、铜铟镓硒
光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。领跑者计划通过
结晶成多晶硅。利用价值:从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。
多晶硅概念股有:江苏阳光(600220
工智能、自动控制、信息处理等半导体器件的电子信息基础材料,被称为微电子大厦的基石,而最重要的是多晶硅是太阳能的核心原材料,目前我国多晶硅基本依赖进口,而由于技术垄断,公司发展前景非常看好。公司新设立的
多晶硅电池,是硅基高效太阳电池的首选材料。然而,单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会影响太阳能电池的效率,比如:B-O复合体的存在会导致单晶电池的光致衰减;内部金属杂质和晶体缺陷(位错、同心圆等)的存在会成
的光电转化效率和使用寿命。同时,由于没有完善的行业标准,硅片原材料的质量也是参差不齐,一些缺陷片的存在直接影响到组件乃至光伏系统的稳定性。
硅是地球外壳第二位最丰富的元素。提炼硅的原材料是SiO2
效率分别不低于15.5%和16%;高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;多晶硅
先进技术产品。2015年,领跑者先进技术产品应达到以下指标:多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;硅基、铜铟镓硒、碲化镉
效率不低于28%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起,一年内衰减率分别
:多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13
学会期刊的应用材料与表面上发表了这项研究。
黑硅是一种具有高变形表面的硅,这种高变形表面上分布着许多纳米尺度的尖峰或者孔洞,这些尖峰或孔洞的尺寸小于可见光波长。这种结构能够有效的吸收一天内任意时间和任意
表示该距离可能与硅半导体性能有关。
根据莱斯大学在制备太阳能电池的黑硅片的研究过程中发现,金电极同样起到催化剂的作用。黑硅基本不反射光,并且让更多的光与太阳能电池里的活跃组分用转变为电能
端关键技术设备)以及部分关键配套材料(晶体硅产品原材料90%以上产自国外),仍然依靠从发达国家进口。原料、关键技术设备、市场需求三头在外的对国外市场的依赖性现象,已成为我国光伏产业的严峻现实。
(注
率达99%以上;每兆瓦晶硅电池投资下降超过55%,每瓦电池耗硅量下降25%,骨干企业单晶、多晶及硅基薄膜电池转换效率由16.5%、16%、6%分别增至19%、17.5%、10%;光伏发电系统投资由25元
(~70%)。
而与此同时,现在的硅基光伏却已经非常接近实验室和理论转换效率了(28%)。
从成本上来说,由于高倍聚光系统设计普遍采用高聚光比的缘故,砷化镓材料在整个聚光系统中的成本比例仅为10%左右
的技术。除了硅基材料以外,还有CIGS、CdTe、GaAs、钙钛矿甚至有机太阳能材料,等等。美国第一太阳能公司凭借CdTe薄膜组件甚至一度成为全世界出货量最大的光伏组件公司。另外,不同的太阳能技术
的质量得到提升。(来源:华盛顿大学)被认为具有恒定组成的钙钛矿,是太阳能研究中的热点话题。与硅基半导体相比,这种材料将太阳能转化为电能的效率更高且更具经济性。由于钙钛矿可以进行低成本加工,且用途广泛
,可应用于从太阳能电池到计算机显示屏和手机中使用的发光二极管等领域,这种极高效的材料最近越来越引起科学界的兴趣。钙钛矿是过去四年增长最快的一种ink"光伏材料,第一作者Dane deQuilettes说
的地区使用。图1-4 低倍聚光太阳电池 图1-5 高倍聚光太阳电池二、太阳电池性能技术比较世界各国研发出了多种太阳电池,部分尚处于小范围尝试阶段,未进入产业化大面积推广阶段,目前硅基材料的
太阳电池,它的结构和生产工艺已定型,产品广泛用于空间和地面。为了降低生产成本,现在地面应用的太阳电池大多采用太阳能级的单晶硅棒,材料性能指标有所放宽,也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料,经过