硅基材料

基础。 大家请看下图，第一个是热电堆辐射表，第二个硅基辐射表。之前我们很多业主是从风电转过来的，风电可以测几年?风电数据精确度要求没那么高，但是辐射表不一样，如果差到5%就代表整个发电量评估或者系统
渠道，参考市场价格。 比如说组件，每个销售说我们这个型号组件已经有底线，就给我们这个底线，你非要这个底线突破，我只能告诉你背板不一样，其他材料可能不一样，你接受不接受?有些销售不告诉

的薄膜太阳能电池生产技术。指南指出，拓展硅基薄膜太阳能电池应用范围，发展BIPV构件产品。支持铜铟镓硒薄膜电池生产工艺技术研发，特别是大规模柔性铜铟镓硒卷对卷连续生产工艺，提升转换效率，降低生产成本
游研发生产高效可靠的生产设备和相关的靶材、背板等原材料，通过大规模量产高效率的薄膜发电电池、组件，再与电动汽车、无人机、手机、户外用品、航天器等领域产品相结合，最终形成用供电一体化的集成终端产品。未来

就包括备受瞩目的薄膜太阳能电池生产技术。指南指出，拓展硅基薄膜太阳能电池应用范围，发展BIPV构件产品。支持铜铟镓硒薄膜电池生产工艺技术研发，特别是大规模柔性铜铟镓硒卷对卷连续生产工艺，提升转换效率
下游的各种移动能源终端产品的应用，与此同时也将包含相关的储能、分布式等支撑产业。薄膜光伏企业可以利用自身在薄膜产业内的优势，从上游研发生产高效可靠的生产设备和相关的靶材、背板等原材料，通过

生产工艺技术研发，特别是大规模柔性铜铟镓硒卷对卷连续生产工艺，提升转换效率，降低生产成本被纳入指南。CIGS电池发明与硅薄膜及碲化镉电池是同一时期，但商品化步履维艰，主要是由于其材料结构及科学机理与传统的硅半导体
有着很大的不同，相对于传统半导体材料结构及导电机制等诸多问题是全新的，人们在屡屡失败中逐步认清其本质。与此同时，多元化合物多晶半导体制备技术，也是在科学机理认知过程中不断摸索创新中逐步发展起来。经过

光伏市场，将高能耗和高污染的晶硅材料及晶硅电池产业技术和装备向中国全面开放，由于硅原料的紧张，我国又将欧美已经逐渐淡出市场的硅基薄膜太阳电池生产技术重新拾起来，成为薄膜电池的主流产业，欧美国家专门为中国
生产工艺技术研发，特别是大规模柔性铜铟镓硒卷对卷连续生产工艺，提升转换效率，降低生产成本被纳入指南。CIGS电池发明与硅薄膜及碲化镉电池是同一时期，但商品化步履维艰，主要是由于其材料结构及科学机理与

就包括备受瞩目的薄膜太阳能电池生产技术。指南指出，拓展硅基薄膜太阳能电池应用范围，发展BIPV构件产品。支持铜铟镓硒薄膜电池生产工艺技术研发，特别是大规模柔性铜铟镓硒卷对卷连续生产工艺，提升转换效率
下游的各种移动能源终端产品的应用，与此同时也将包含相关的储能、分布式等支撑产业。薄膜光伏企业可以利用自身在薄膜产业内的优势，从上游研发生产高效可靠的生产设备和相关的靶材、背板等原材料，通过

、散射辐射、反射辐射等）能转化成为电能的发电形式。 　　 　　早在1839年，法国科学家贝克勒尔就发现光照能使半导体材料的不同部位之间产生电位差。这种现象后来被称为光生伏打效应，简称光伏效应。然而
结合到一起成为PN结。 　　 　　 　　 　　（光电效应示意图） 　　 　　半导体材料组成的PN结两侧因多数载流子（N区中的电子和P区中的空穴）向对方的扩散而形成宽度很窄的

原理和关键技术太阳能光伏发电利用了太阳能电池的光生伏打效应，是一种直接将太阳辐射（直接辐射、散射辐射、反射辐射等）能转化成为电能的发电形式。早在1839年，法国科学家贝克勒尔就发现光照能使半导体材料的
半导体，两者结合到一起成为PN结。　　（光电效应示意图）半导体材料组成的PN结两侧因多数载流子（N区中的电子和P区中的空穴）向对方的扩散而形成宽度很窄的空间电荷区w，建立自建电场Ei。它对两边多数载流子是

光照能使半导体材料的不同部位之间产生电位差。这种现象后来被称为光生伏打效应，简称光伏效应。然而，第一个实用单晶硅光伏电池直到1954年才在美国贝尔实验室研制成功，从此诞生了太阳能转换为电能的实用
原子如硼原子，形成P型半导体，两者结合到一起成为PN结。（光电效应示意图）半导体材料组成的PN结两侧因多数载流子（N区中的电子和P区中的空穴）向对方的扩散而形成宽度很窄的空间电荷区w，建立自建电场Ei

，2016年下半年该标准将完成报批稿并最终提交至归口单位。 　　 　　铜铟镓硒薄膜太阳电池是以铜铟镓硒材料为吸收层的薄膜太阳电池，通过将电池沉积在玻璃基板或柔性不锈钢等材料上，封装后形成组件。铜铟镓硒薄膜
表示，国际电工委员会（IEC）以及我国在几年前都发布过关于薄膜光伏组件的相关标准，但大多是基于硅基薄膜光伏组件技术，对铜铟镓硒技术针对性不强。此次开始编制的《铜铟镓硒薄膜光伏组件》国家标准，将会