硅基材料

将完成报批稿并最终提交至归口单位。铜铟镓硒薄膜太阳电池是以铜铟镓硒材料为吸收层的薄膜太阳电池，通过将电池沉积在玻璃基板或柔性不锈钢等材料上，封装后形成组件。铜铟镓硒薄膜太阳电池的弱光性能优势明显，在光线
伏能源系统标准化技术委员会秘书长肖志斌表示，国际电工委员会（IEC）以及我国在几年前都发布过关于薄膜光伏组件的相关标准，但大多是基于硅基薄膜光伏组件技术，对铜铟镓硒技术针对性不强。此次开始编制的

就要耗费硅太阳能电池片7～8年的发电量），生产成本昂贵（主要原材料是高纯硅，每生产1MW规模的硅太阳能电池组件需要17t高纯度硅）。另外晶体硅属间接带隙半导体，光吸收系数低，电池厚度一般需要达到100m
薄膜电池是指在玻璃或柔性衬底上沉积Ⅲ一V族、Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜构成p-n结组装而成的太阳能电池，主要包括GaAs、CdTe、CdS和CIGS等几类。这些化合物薄膜电池属直接带隙半导体材料，光吸收系数高，带隙

太阳能电池片7～8年的发电量），生产成本昂贵（主要原材料是高纯硅，每生产1MW规模的硅太阳能电池组件需要17t高纯度硅）。另外晶体硅属间接带隙半导体，光吸收系数低，电池厚度一般需要达到100m以上才能吸收
玻璃或柔性衬底上沉积Ⅲ一V族、Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜构成p-n结组装而成的太阳能电池，主要包括GaAs、CdTe、CdS和CIGS等几类。这些化合物薄膜电池属直接带隙半导体材料，光吸收系数高，带隙宽度与

硅铸块单晶体。目前的太阳能电池大部分是硅基电池，但其核心部分的硅结晶体品质较低且成本较高。太阳能电池企业为降低发电成本，都在积极开发高质量硅结晶和低成本制作技术。目前的主流方法是直拉单晶制造法(CZ法
采用了中岛公式一雄开发的新的结晶制作法非接触坩埚法(NOC法)。NOC法能够得到四倍以上面积的硅结晶，但温度控制比较困难。他们通过两台加热器与碳保热材料组合，实现了生成大结晶所需的大面积低温环境。由此

指南共确定优先发展的产业关键共性技术205项，这当中就包括备受瞩目的薄膜太阳能电池生产技术。指南指出，拓展硅基薄膜太阳能电池应用范围，发展BIPV构件产品。支持铜铟镓硒薄膜电池生产工艺技术研发，特别是
电池技术的发展前景，清华大学材料学院常务副院长庄大明此前接受媒体采访时曾表示。在中国，提起薄膜太阳能发电，很难绕开汉能。据了解，作为一家全球化的清洁能源跨国公司和全球薄膜太阳能发电领导者，汉能已通过技术研发

材料不同，典型的薄膜太阳能电池可分为以下四类：非晶硅（a-Si）和薄膜硅（TF-Si）；碲化镉（CdTe）；铜铟镓硒（CIS 或CIGS）和染料敏化太阳能电池（DSC）加上其他天然材料。 薄膜电池
薄膜电池顾名思义就是将一层薄膜制备成太阳能电池，其用硅量极少，更容易降低成本，同时它既是一种高效能源产品，又是一种新型建筑材料，更容易与建筑完美结合。在国际市场硅原材料持续紧张的背景下，薄膜

的高品质硅铸块单晶体。 　　目前的太阳能电池大部分是硅基电池，但其核心部分的硅结晶体品质较低且成本较高。太阳能电池企业为降低发电成本，都在积极开发高质量硅结晶和低成本制作技术。目前的主流方法是直拉
困难。 　　研究小组采用了中岛公式一雄开发的新的结晶制作法非接触坩埚法（NOC法）。NOC法能够得到四倍以上面积的硅结晶，但温度控制比较困难。他们通过两台加热器与碳保热材料组合，实现了生成

硅铸块单晶体。目前的太阳能电池大部分是硅基电池，但其核心部分的硅结晶体品质较低且成本较高。太阳能电池企业为降低发电成本，都在积极开发高质量硅结晶和低成本制作技术。目前的主流方法是直拉单晶制造法（CZ法
采用了中岛公式一雄开发的新的结晶制作法非接触坩埚法（NOC法）。NOC法能够得到四倍以上面积的硅结晶，但温度控制比较困难。他们通过两台加热器与碳保热材料组合，实现了生成大结晶所需的大面积低温环境。由此

布《产业关键共性技术发展指南（2015年）》，提出确定优先发展五大类205项产业关键共性技术。这五大类关键共性技术包括节能环保与资源综合利用48项、原材料工业42项、装备制造业49项、消费品工业27项
的高效电池生产技术，包括重点背场钝化（PERC）电池、金属穿孔卷绕（MWT）电池、N型电池、异质结电池（HIT）、背接触电池（IBC）电池、叠层电池、双面电池等；拓展硅基薄膜太阳能电池应用范围，发展

单晶硅电池组件的转换效率分别达到16.5%和17%以上，硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上可获得这一称号。但今年7月公布的第一批领跑者认证申请企业
年后的进步非常快。此外，聚光太阳能电池主要材料是耐高温的砷化镓（GaAs），尽管转换效率高（聚光三结和四结太阳能电池的转换效率已达到44.4%和46%），但主要适用于年均太阳直接辐射非常高（超过2000