硅基技术

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天合光能钙钛矿/晶体硅叠层电池组件峰值功率突破800W来源:索比光伏网 发布时间:2025-03-24 09:08:14

800W门槛的工业标准尺寸光伏组件。这是天合光能第31次刷新太阳电池转换效率与组件功率的世界纪录,标志着光伏技术从“硅基时代”向“叠层时代”的跨越式迈进。据悉,天合光能自2014年起布局钙钛矿叠层技术

洛阳:今年实施“源网荷储项目40个、新能源发电500MW来源:卡片光伏 发布时间:2025-03-19 11:13:58

%;规上工业增加值、固定资产投资、社会消费品零售总额分别增长7%、5.2%、6.2%,增速均高于全国。高技术制造业增加值增速高于规上工业58.5个百分点,高新技术产业增加值占比首次过半、达到55.8
轴承等一批“洛阳创造”建功“大国重器”。全市5个项目荣膺国家科技进步奖、占全省的33.3%,荣获全省唯一的国家一等奖。全社会研发投入强度连续6年领跑全省、连续5年超过全国,技术合同成交额增长25.2

沐邦高科连获两项光伏技术专利来源:沐邦高科 发布时间:2025-03-18 10:15:06

实用新型公开了一种N型高效电池及电池组件,N型高效电池包括N型硅基底以及依次设在N型硅基底正面的正面遂穿层、掺杂晶硅层以及正面减反射功能层,掺杂晶硅层至少包括在远离N型硅基底的正面方向上依次设置的第一掺杂

下一代光伏技术之钙钛矿/BC三端叠层太阳电池来源:爱旭股份 发布时间:2025-03-11 15:09:11

爱旭研发中心编者按:单结晶硅太阳电池技术发展迅速,已经逼近其29.56%的理论效率。超越单结晶硅太阳电池效率的下一代光伏技术将是基于双结的硅基叠层太阳电池。根据叠层电池的电极配置,可以分为两端、三端

其亚新疆集团年产160万吨有机硅项目即将开工来源:其亚集团 发布时间:2025-03-03 13:51:44

,为有机硅项目生产提供原料转化。其亚新疆集团年产160万吨有机硅项目是依托其亚集团现有硅基产业链的又一次大跨越。项目依靠集团丰富的煤炭、电力、石英矿、金属硅、甲醇等资源为有机硅项目提供强大的能源及
,采用先进的生产工艺技术,以全链条自主供应体系形成强大的成本优势,投产后将彻底改变国内有机硅产业布局。通过技术突破及产业链整合,不断推动国产有机硅产品品质与综合竞争力向国际顶尖水平迈进,为其亚集团实现“造就国际领先的综合原材料产业集团”愿景加码赋能。

30.8%!硅基钙钛矿叠层太阳能电池打破纪录来源:pv-magazine 发布时间:2025-02-14 10:54:29

日前,法国国家太阳能研究所(INES)校园内的CEA(法国原子能委员会)实验室开发的硅基串联钙钛矿太阳能电池已达到30.8%的效率记录。作为CEA和意大利3Sun(欧洲最大的组件制造商)领导的联合
项目的一部分,所使用的串联架构超过了目前光伏超级工厂生产的传统硅技术约29%的理论效率限制。大多数国际记录都是在1平方厘米的表面上创造的,而CEA和3Sun是在9厘米的机身上进行的,这应该有助于向工业

总投资100亿!硅单晶生长设备及高品质硅晶体生产项目签约来源:东吴光伏圈 发布时间:2025-02-12 13:53:58

硅晶体生产项目,总投资超过100亿元。该项目采用自主研发技术,包含光伏级、半导体级高温超导单晶硅生长设备制造和高品质光伏级、半导体级硅晶体生长、切片、抛光、退火项目,将全面强化银川市硅基材料发展链条

广东:2025年及以后风电光伏按10%/2h配置储能来源:广东省发改委 发布时间:2025-02-07 14:40:41

4 成。3.创新能力不断增强。强化企业创新主体地位,累计培 育 138 家国家企业技术中心、1621 家省级企业技术中心, 全省高技术制造业企业超 1.4 万家。全省研发经费投入、研 发人员数量

锌黄锡矿(Kesterite)太阳能电池突破:以13.2%的效率创下新世界纪录来源:钙钛矿材料和器件 发布时间:2025-02-06 09:43:32

(Kesterite)太阳能电池效率的世界纪录,该电池被认为是传统硅基太阳能电池板的有前途的替代品。该团队已经实现了“宽带隙辉长石太阳能电池有史以来最好的 13.2% 效率,该太阳能电池已用氢得到增强”。锌
黄锡矿是一种天然存在的矿物,由铜、锌、锡和硫(CZTS)组成,它长期以来一直因其在太阳能电池应用中的潜力而得到认可。它储量丰富、无毒且生产成本低,使其成为下一代太阳能技术的有吸引力的候选者。“硅组件

福建金石能源申请硅基背接触异质结太阳电池及其制备方法、电池组件专利,降低设备成本来源:金融界 发布时间:2025-01-27 11:14:20

12月。专利摘要显示,本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种硅基背接触异质结太阳电池及其制备方法、电池组件,该硅基背接触异质结太阳电池通过在非晶硅钝化层增加一层超薄掺氧型非晶硅,从而避免沉积非晶硅