硅原子

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。 单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其

要达到世界能源需求的程度几乎是不可能的。因此，NREL的科学家们还是关注于普通的硅材料。该技术的奥妙在于科学家们将硅制成了纳米晶体。当晶体尺寸接近原子级尺寸时，电子等原子级以下微粒的特征将发生根本性的

太阳能（solar energy） 【简介】 一般指太阳光的辐射能量。在太阳内部进行的由“氢”聚变成“氦”的原子核反应，不停地释放出巨大的能量，并不断向宇宙空间辐射能量，这种能量就是
】 太阳能光伏 光伏板组件是一种暴露在阳光下便会产生直流电的发电装置，由几乎全部以半导体物料(例如硅)制成的薄身固体光伏电池组成。由于没有活动的部分，故可以长时间操作而不会导致任何损耗。简单的

多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料

　　受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子 　　　　Alignment Precision - Displacement of patterns
the insulator layer, which supports the silicon film on top of the wafer. 　　底部硅层 - 在绝缘层下部的晶圆片，是顶部硅层的基础

具有优良的性能而且不必要进行氢化处理。利用金属如镍等在非晶硅薄膜表面形成诱导层，金属Ni与a-Si在界面处形成NiSi2的硅化物，利用硅化物释放的潜热及界面处因晶格失错而提供的晶格位置，a-Si原子在

多晶硅薄膜材料同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积、低成本制备的优点。因此，对于多晶硅薄膜材料的研究越来越引起人们的关注，多晶硅薄膜的制备工艺可分为两大类：一类是高温工艺，制备过程中

现状和发展预测太阳电池是利用材料的光生伏打效应直接将太阳能变成电能的半导体器件，也称光伏电池。1954年，第一块实用的硅太阳电池(η＝6％)与第一座原子能发电站同时在美国诞生，1959 年太阳电池进入
了示范，如微波中继站、部队通信系统、水闸和石油管道的阴极保护系统、农村载波电话系统、小型户用系统和村庄供电系统等。同时，在“七五”期间，国内先后从国外引进了多条太阳电池生产线，除了一条1MW的非晶硅

硅片表明，外加磁场减少了由热对流引起的生长条纹，用本方法生长的晶体，氧浓度为1x10"原子/厘米”，比常规 CZ硅的氧浓度降低了一个数量级。高阻MCZ硅单晶的径向电阻率不均匀性比FZ硅单晶的低。例如

cZ法生长的。常规cZ法生长的晶体中，氧主要来自石英钳锅，其浓度变化范围介于4.0 x 10'0与2.0 x 10`8原子/厘米”之间〔3,4)，随晶体生长的各种参数而变，其浓度上限接近于硅熔点时的饱和
，滑移得以延迟。通过沉淀氧化物和伴生位错网络，氧原子间接吸除易动性杂质;‘从有害方面来说，如果氧化物沉淀起因于初始氧浓度高的话，则通过硅一氧复合体产生施主，形成堆垛层错，并使片子翘曲。要是保持氧浓度