仅次于硅基太阳能电池的碲化镉薄膜太阳能电池,目前来看生产成本是最为廉价的。不过,这些覆盖式太阳能电池往往需要一种能让日光穿过并到达碲化镉聚光层的透明支架材料,这也限制了媒介物对透明材料的选择性。如今
真空下尝试将铜蒸发到碲化镉层,同时通过后续的热处理将铜原子透入碲化镉。试验中他们很快意识到,铜的数量必须精心地控制,如果使用太少或过度掺杂,碲化镉电池的转换效率都不会有太大改善。然而,当对铜蒸发数量
结合了两方面的最佳之处。我们利用了化学的稳定性和金属氧化物的低廉价格,将其与一个很好但相当简单的薄膜硅太阳能电池结合,从而得到一个便宜、非常稳定和高效的(水解氢气的)单元。当光线射入这个相对简单的具有
金属氧化物层的硅薄膜电池时,系统会产生一个电压。金属氧化物层起光阳极的作用,成为氧形成的地方。它通过一个石墨导电桥连接到太阳能电池单元。由于只有金属氧化物层接触到电解液,所以太阳能电池单元的其他部分
效应。1954年,贝尔实验室研制成功第一个实用价值的硅太阳能电池,纽约时报把这一突破性的成果称为最终导致使无限阳光为人类文明服务的一个新时代的开始。
爬升期(1959年~1994年):
1959年
第一个单晶硅太阳能电池问世,在1960年太阳能电池首次实现并网运行。1978年美国建成100KW光伏电站,随后太阳能效率不断提高,其中1980年单晶硅太阳能电池效率达到20%,多晶硅为14.5
政府机构阿卜杜拉国王原子能和可再生能源城宣布到2022年建设41GW太阳能项目的目标,其中26GW为光热发电(CSP),15GW为光伏发电。迪拜水电局也宣布到2030年将分步建成1GW的太阳能发电站。今年
业整合、无效产能被逐渐挤出,供需失衡的局面有所缓和,而新产能扩张基本停滞。根据SEMI的统计数据,2012年中国的多晶硅产能为15.8万吨,占全球的43%,产量为6.9万吨,占全球的32%;光伏组件的产能
大原油出口国沙特阿拉伯计划投资1090亿美元发展太阳能产业,其中2012年5月,沙特政府机构阿卜杜拉国王原子能和可再生能源城宣布到2022年建设41GW太阳能项目的目标,其中26GW为光热发电 (CSP
扩张的恶果便是光伏行业出现了近两年的调整。在这一轮调整中行业整合、无效产能被逐渐挤出,供需失衡的局面有所缓和,而新产能扩张基本停滞。根据SEMI的统计数据,2012年中国的多晶硅产能为15.8万吨,占
缩放半个器件节点。应用材料公司硅系统事业部晶体管与金属化产品副总裁Steve Ghanayem表示,除了传统的PMOS 外延以外,通过实施NMOS外延工艺,我们能帮助晶圆代工客户进一步增强用于下一代器件
选择性沉积。应用材料公司市场领先的专有外延技术能够实现高质量应变膜在沉积时进行精准的原子掺杂。严格的制造工艺控制带来优秀的膜性能、均匀性和极低缺陷率。这些特性解决了诸多性能问题,包括关键电荷层的电阻率
技术。每个硅片每平方英寸含有约5200亿纳米点。在显微镜下,颗粒的六角形排列非常类似蜂窝的六边形阵列。Hagglund团队运用原子层沉积工艺在硅片的表面增加了薄膜涂层。Hagglund称:这是一个非常具有
石墨烯-硅化物。相关研究发表在英国自然集团旗下的《科学报告》杂志上。石墨烯是从石墨材料中剥离出来、由碳原子组成的二维晶体,只有一层碳原子的厚度,是迄今最薄也最坚硬的材料,其导电、导热性能超强,远远
斯和尼克雷-沃比提斯基表示:单原子厚度的石墨烯层以及由其制成的混合材料使我们能借用ARPES研究很多新奇的电子现象。借用ARPES,科学家们发现,这种石墨烯覆盖的硅化物不会被氧化,所以,其可以用于很多
新行业标准进行讨论是否批准进入全国投票程序。这三项标准是类单晶硅片的产品质量标准、高纯度多晶硅包装袋标准和多晶硅氯原子测试方法,其中类单晶硅片的产品质量标准由晶澳牵头制定,10多家国内同领域光伏企业共同
。实验表明,增加一种半导体可以将太阳能电池板的光电转化率从目前的25%提高到40%,再增加另一种半导体就可以使转化率提高到50%。在输出总量不变的情况下,就可以减少安装至少一半的太阳能电池板。目前,这种半导体物质相结合的方法面临的主要挑战是晶体硅中硅原子的排列结构。(来源:MIT《技术评论》,内容有删减)