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值得一提的是,该电池采用了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的新型多晶硅化物薄膜,可显著增强表面钝化、降低中长波段寄生吸收,同时兼顾载流子选择性收集,能够全面提升填充因子、短路电流及开路
发射极、电荷隧穿传输和孔洞传输等)、关键材料与工艺开发(纳米氧化物薄膜材料及多种制备技术、掺杂多晶硅化物薄膜材料及制备、新型扩硼工艺、新型退火工艺/氢注入工艺、电极材料与工艺等),以及量产型装备技术研制
法,其中涉及到硅的使用。而且在2010年公司开始扩展新能源车电池产品时,公司方面曾表示,可能在未来深入对硅的利用,介入光伏电池所使用的硅化物领域。
,氟化盐的制备方法之一,就是用氟硅酸钠法,其中涉及到硅的使用。而且在2010年公司开始扩展新能源车电池产品时,公司方面曾表示,可能在未来深入对硅的利用,介入光伏电池所使用的硅化物领域。
,比如Ni\W\Mo\Ti\Co\Ta\Cu等电极的,这些电极都基本是和硅形成了导电性极好的硅化物来导电的,不如这个TiSi2的导电率是12-20微欧级别,同等条件下银是1.6微欧的,很明显这个导电
Sn合金化,以这种低熔点的合金来腐蚀氮化硅,生成或为高导电的硅化物氮化物,或者释放一定的氮氧化物,也减少了银和硅之间的过渡层,从而降低了接触电阻。这些个活性金属主要是第4、5副族的过度元素,这些个过度族
石墨烯-硅化物。相关研究发表在英国自然集团旗下的《科学报告》杂志上。石墨烯是从石墨材料中剥离出来、由碳原子组成的二维晶体,只有一层碳原子的厚度,是迄今最薄也最坚硬的材料,其导电、导热性能超强,远远
石墨烯征服硅谷之路面临的主要障碍是成功地将石墨烯整合到成熟的金属硅化物技术内。现在,来自维也纳大学、德国和俄罗斯的研究人员成功地构建出一种新奇且高质量的处于一层石墨烯保护和覆盖下的金属硅化物结构。为了揭示
电子显微镜检查Ni/Si界面。结果示于图3。对于没有Se且在400℃下退火的控制样品,观察到硅化,结果在Ni和Si间有二层硅化物堆叠(图3(a))。这证实了Foll等人早先对于Ni硅化的TEM研究。他们的
与阻挡层技术,避免了Cu与Si之间的直接接触,这种直接接触会导致在中等温度下Cu快速内扩散造成结的破坏。这些阻挡层是基于像Ti或Ta这样的元素金属、氮化物(TaN等)或硅化物。其他可能的问题是错异电镀
凤阳县政府打造千亿硅产业的宏伟计划,该公司在凤阳县板桥经济开发区,建设年产24万吨二氧化硅、40万吨硅酸钠、30万吨硫酸,并配备2ⅹ12MW秸秆发电机组的中国乃至全球最大的硅化物生产基地,建成后预计
FSI 国际有限公司宣布已成功地采用FSI ViPR?技术在自对准多晶硅化物形成后去除了未反应的金属薄膜。通过实现这一新的工艺,IC制造商可以在钴、镍和镍铂硅化物集成过程中,大幅度减少化学品的
硅化物最早应用于65nm逻辑器件,因为它的阻抗更低,从而可实现器件性能的大幅改善。但在早期应用中,业界发现在不损害镍铂硅化物区域的情况下,去除未反应的镍和铂是非常有挑战性的。在2005年,FSI凭借其
这样做仍然无法去除二氧化硫,二氧化硫可能会与掩膜版发生化学结合,也可能会与铬或钼的硅化物发生物理结合。更好的清洗技术是使用氢化的水、含臭氧的水或热水,它们有助于降低残留物的浓度。另一个发展方向是无硫工艺