砷化镓

。很多替代品，比如砷化镓所制成的薄膜可以制成与单晶硅吸收等量太阳能的太阳能电池，但是其厚度只有单晶硅的百分之一，极大程度减少了材料的消耗。这样的薄膜富有可塑性，可以被卷曲，降低了封装和运输的成本，并且

多结光伏太阳能电池后，NREL与民营厂商合作开发了符合工业标准的镓铟磷/砷化镓（铟）/锗（GaInP/Ga（In）As/Ge） 技术，并首次向各方太阳能业界展示IMM太阳能电池。原本为了太空应用开发的
进一步提升空间。RFMD一年前宣布采用公司现有的标准6英寸半导体设备生产出集成砷化镓（GaAs）和磷化镓铟（InGaP）的双结光伏电池，成功实现了IMM技术商业化过程中有重要意义的性能里程碑。双结

。发明了第一个多结光伏太阳能电池后，NREL与民营厂商合作开发了符合工业标准的镓铟磷/砷化镓(铟)/锗(GaInP/Ga(In)As/Ge) 技术，并首次向各方太阳能业界展示IMM太阳能电池
40.8%，研究表明甚至还有进一步提升空间。 RFMD一年前宣布采用公司现有的标准6英寸半导体设备生产出集成砷化镓(GaAs)和磷化镓铟(InGaP)的双结光伏电池，成功实现了IMM技术商业化过程中

太阳电池、砷化镓太阳电池叠层电池等或低成本或高转化率的新型太阳电池如雨后春笋般涌现出来。广阔草原上的太阳能光伏电站没错，太阳能电池在实验室诞生以后相当长的一段时期，由于其昂贵的造价只能被应用于航空航天

多结光伏电池和CPV系统科研实力。发明了第一个多结光伏太阳能电池后，NREL与民营厂商合作开发了符合工业标准的镓铟磷/砷化镓(铟)/锗(GaInP/Ga(In)As/Ge)技术，并首次向各方太阳能业界
转换效率相当高为40.8%，研究表明甚至还有进一步提升空间。RFMD一年前宣布采用公司现有的标准6英寸半导体设备生产出集成砷化镓(GaAs)和磷化镓铟(InGaP)的双结光伏电池，成功实现了IMM技术

和CPV 系统科研实力。发明了第一个多结光伏太阳能电池后，NREL与民营厂商合作开发了符合工业标准的镓铟磷/砷化镓（铟）/锗(GaInP/Ga(In)As/Ge) 技术，并首次向各方太阳能业界展示
太阳能电池能量转换效率相当高为40.8%，研究表明甚至还有进一步提升空间。RFMD一年前宣布采用公司现有的标准6英寸半导体设备生产出集成砷化镓(GaAs) 和磷化镓铟(InGaP)的双结光伏电池，成功实现了

实验室所提供的最新有关太阳能光伏电池发电效率的一张简图： 从这一图片可以很清楚地看出，a）用砷化镓制作的光电池的转化率，遥遥领先于各类光电池。2011年多结+418倍聚光的转化率更上升到43.5
%。由砷化镓薄膜制成的光电池，也做到了28.2%。 b）居于第二位是硅基光电池。其单晶的转化率由历史上的17%上升到25.0%，其单晶+92倍聚光的光电池转化率，已上升到27.6%。但多晶硅

到企业应对危机的渠道利用硅、硫化镉、砷化镓等薄膜为基体材料的薄膜太阳能光伏技术开发薄膜太阳能电池组。市科技局相关负责人则认为，这次危机还是间接影响，光伏企业研发必须从口头向实质性推进。因为下一步的贸易壁垒

、砷化镓（GaAs）等其它半导体材料，以薄膜化或多接面串接来提升转换效率，逐渐进化到强调低成本、制程设备与原料取得容易，且可弯挠的第三代太阳能电池，而其中以「染料敏化太阳能电池」（DSSC）发展最被看好

形式，到第二代非晶矽、砷化镓（GaAs）等其它半导体材料，以薄膜化或多接面串接来提升转换效率，逐渐进化到强调低成本、制程设备与原料取得容易，且可弯挠的第三代太阳能电池，而其中以「染料敏化太阳能电池