砷化镓

形成非晶硅薄膜，之后制作PN结，形成薄膜电池组件。 除了用硅作为薄膜外，还有用碲化镉、砷化镓、和铜铟镓硒（）等材料作为原料的。由于大自然所蕴含的所有元素中，硅占了四分之一多（27%），另外氧占了

～18.5%）还需要进一步提高。BIPV系统用的薄膜电池（铜铟硒和铜铟镓硒11～13%；碲化镉8～11%；砷化镓和聚合物10～14%）由于弱光性能优良，相对效率较好。幕墙上的应用需要电池组件具有良好温度系数和

的工厂，这个产品能很轻，可弯曲，可用在汽车、通用产品和电子产品上面。这个比较明显了，砷化镓柔性薄膜，底下是薄膜发电，那个是芯片，大家看到了我们现在到目前汉能的公司被两年评为全球最具有颠覆性的创新

环节薄膜硅的源头，也是采用金属硅，先制成硅烷气，然后通过气相沉积技术在薄膜衬底上形成非晶硅薄膜，之后制作PN结，形成薄膜电池组件。除了用硅作为薄膜外，还有用碲化镉、砷化镓、和铜铟镓硒（CIGS）等材料

砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。 硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染
，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代产品。 砷化镓（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏

经德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究院（Fraunhofer ISE）认证的最高转化率达到21%；砷化镓（GaAs）组件获得美国国家可再生能源实验室（NREL）认证的最高转化率达到 30.8%，这也

全球化产业布局掌握了核心技术，增强了抗风险能力。资料显示，汉能的铜铟镓硒（CIGS）组件经德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究院（Fraunhofer ISE）认证的最高转化率达到21%；砷化镓（GaAs）组件

可以被最大利用，如果能带在1.0-1.6eV范围内。这导致电池最大效率只能到44%（Shockley and Queisser,1961)。硅能带在1.1eV，接近理想，然而砷化镓在1.4eV，在理