砷化镓薄膜太阳能电池

达到了302 台，销售金额达到了75500 万元，2010 年我国多晶硅铸锭炉的市场需求规模为750台左右，增长率超过200%。CIGSandCdTe薄膜技术。生产技术创新将会帮助提升效率降低生产成本
电池片制造关键设备之一生产型管式PECVD设备的成功研制，使我国正式具备了除全自动丝网印刷机外的太阳能电池制造设备的整线供应能力。在这方面，中电科技集团第48研究所和北京七星华创电子股份有限公司取得了

品种繁多，大多数尚未工业化生产，主要有以下几种：a) 硫化镉太阳能电池b) 砷化镓太阳能电池c) 铜铟硒太阳能电池(新型多元带隙梯度Cu(In, Ga)Se2薄膜太阳能电池) Cu(In, Ga)Se2

，按300MW晶硅太阳能电池线及400MW组件线、60MW非晶硅薄膜太阳能电池线、80MW高效太阳能电池线的产能规模进行建设。产品包括晶硅电池、高效异质结电池、薄膜电池以及砷化镓聚光电池。公司产品

索比光伏网讯:为了寻找单晶硅电池的替代品，人们除开发了多晶硅，非晶硅薄膜太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物，硫化镉，碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。那么什么

为了寻找单晶硅电池的替代品，人们除开发了多晶硅，非晶硅薄膜太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物，硫化镉，碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。那么什么是薄膜电池呢

索比光伏网讯:低价、高效率砷化镓(GaAs)薄膜太阳能将成为无所不在的嵌入式电源。不畏太阳能产业低迷，美国矽谷薄膜太阳能技术创新公司--Alta Devices正积极透过专利的GaAs材料薄化、堆叠

%。其未来3年目标是实现转换效率37%。这种新型太阳能电池基于砷化镓材料以及独特的生产工艺技术，它将引发太阳能产业和新能源产业什么变革？请看来自硅谷的报道。Alta Devices公司CEO
MOCVD生长薄膜，然后分离薄膜，并复用这个晶圆，由此得到极薄可弯曲的薄膜，它可以做成任何形状，这种平板式单结（single junction）太阳能电池可以有高于其他工艺的转换效率。而多结

决定。太阳能电池本身的特性决定了高倍聚光光伏的高效转换，高倍聚光光伏技术采用的是多结Ⅲ-Ⅴ族化合物电池，其材料包含锗、砷化镓、镓铟磷等多种不同的半导体材料，而每一种材料可对应不同的太阳光谱，能够对
跟踪系统又有支架做支撑远离地面，对土地的平整度要求低，土地还可以继续种植草坪、低矮灌木等综合利用。 　　最后，经过相关测算数据显示，晶体硅及薄膜太阳能电池的理论转换能大约能达到28%，而多结的III-V

，土地还可以继续种植草坪、低矮灌木等综合利用。最后，经过相关测算数据显示，晶体硅及薄膜太阳能电池的理论转换能大约能达到28%，而多结的III-V 族电池理论转换率可超过60%，可见，目前聚光
利用光学元件，将太阳能通过聚光的方式汇聚在一个狭小的区域（焦斑），再利用光伏效应把光能转化为电能的发电技术被称为聚光光伏。相比较使用晶硅电池和薄膜电池进行光电转换的第一、第二代太阳能利用技术，被

精度决定。太阳能电池本身的特性决定了高倍聚光光伏的高效转换，高倍聚光光伏技术采用的是多结Ⅲ-Ⅴ族化合物电池，其材料包含锗、砷化镓、镓铟磷等多种不同的半导体材料，而每一种材料可对应不同的太阳光谱，能够对
跟踪系统又有支架做支撑远离地面，对土地的平整度要求低，土地还可以继续种植草坪、低矮灌木等综合利用。 　　最后，经过相关测算数据显示，晶体硅及薄膜太阳能电池的理论转换能大约能达到28%，而多结的