砷化镓电池

，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染。砷化镓(GaAs)III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对
下，光伏产业赢来了行业发展的高峰期。最近10年太阳电池及组件生产的年平均增长率达到33%，最近5年的年平均增长率达到43%，2006年世界太阳电池产量达到2500MW，累计发货量达到8500MW。　　从

太阳能电池是一种光有效应并能将光能转换成电力的器件。能产生光伏效应的材料有许多种，如：单晶硅，多晶硅，非晶硅，砷化镓，硒铟铜等。它们的发电原理基本相同，现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂
磷可得N型硅，形成P－N结。当光线照射太阳电池表面时，一部分光子被硅材料吸收；光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差，当外部接通电路时，在该电压的作用下

的光电转换效率分为两种。一种是小尺寸（例如1cm2）的研究开发水平：单晶硅太阳电池24.7%，多晶硅太阳电池19.8%，非晶硅太阳电池15%，铜铟硒太阳电池18.8%，砷化镓太阳电池33%，有机纳米

据台湾媒体报道，夏普突然豪气大发，要年增十二倍产能。犹如重磅炸弹投下，在太阳能业界引起一片暄然。 日前有外电报道称，夏普将斥资超过100亿日币，扩产薄膜太阳能电池产能，于其目前结晶硅太阳能生产
重地葛城厂加设薄膜产能，由目前年产能仅15MWp扩增至2008年的200MWp，年增12倍产能，同厂还有年产能700MWp以上的结晶硅太阳能电池。 夏普表示，看好薄膜太阳能电池的发展，所以积极

。 该联盟对于将成本降低到每平方公尺1000美元深具信心，不过也表示要实现50%转换效率的目标，光靠将结构从5层扩展到6层以及最佳化设计还不足够。目前只有军事和航天域才负担得起砷化镓太阳能电池，而要
一个适合这一波长的太阳能电池芯片中。之所以需要多个晶粒，是因为该技术结合了多种不兼容的半导体，包括单晶硅、砷化镓、砷化镓铟和氮化镓铟等。 VHESC项目首席研究员、电子工程教授Allen

GaAs太阳电池有很好的高温特性（为高电压低电流器件），通过聚光将显著提高电池电流输出，特别在实现高倍聚光后，可获得更高的功率输出。因此，以三结砷化镓太阳电池为主要部件的聚光太阳电池以其高效率（可达到40

；聚合物多层修饰电极型太阳能电池；纳米晶太阳能电池等。多元化合物薄膜太阳能电池主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。其中，硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池

环保节能股热翻天，发光二极管（LED）厂由于在制程与太阳能产业相近而纷纷投入，佰鸿工业董事长廖宗仁表示，将与全球最大的砷化镓磊晶厂KOPIN共同发展三五族聚化型的太阳能芯片，华上光电在开发三五族聚光
产业挟着机器设备、制程与太阳能产业相近的优势，近期积极跨入太阳能产业，在台达电今年3月宣布开发完成转换效率超过35%的三五族聚光型太阳能电池（CPV）接收器模块相关的组装设计与制程技术，并已通过验证

；纳米晶太阳能电池等。多元化合物薄膜太阳能电池主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。其中，硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低

Low-k晶圆、砷化镓（GaAs）晶圆、太阳能电池、功率半导体、共用晶圆（MPW）或超薄晶圆等。　　*实现任意厚度的贯穿切割　　*使用标准划片胶带