直拉

成本居高不下，人们想尽一切办法扩大晶体产量，最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间，在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下，开始尝试浇铸工艺和定向凝固工艺制造晶体硅，多晶铸锭应运而生，然而它的晶体结构始终是无数
大批量生产背钝化单晶电池，同时，直拉单晶炉的单体产能提升到过去的3倍，材料成本快速降低，而多晶铸锭炉的单体产能瓶颈则始终无法突破。预计到2016年底，在单晶组件功率高出10%左右的条件下，单晶组件与

毛利的N型硅片出货比例有望持续上升，在未来改善公司业绩。 公司CFZ技术是适用高效电池理想硅片技术之一。公司自主研发的CFZ技术兼具区熔和直拉硅片的特点，具有片间参数高斯分布集中、超低氧含量

做技术的人员非常清楚，无论是位错密度还是杂质含量，单晶都好于多晶的水平。直拉单晶硅的晶体品质优于铸锭多晶，决定了单晶电池转换效率优势。而在电站质量方面，超过30年发电实践，单晶是唯一经受长期验证的

做技术的人员非常清楚，无论是位错密度还是杂质含量，单晶都好于多晶的水平。直拉单晶硅的晶体品质优于铸锭多晶，决定了单晶电池转换效率优势。而在电站质量方面，超过30年发电实践，单晶是唯一经受长期验证的

长197.31％，净利润同比下降14.67％，降幅明显下降，环比则增91.45％，均验证公司景气复苏的趋势。区熔炉研制已获突破，静待大单带动业绩增长。2013年公司成功研制直拉区熔单晶炉，拉晶速度较传统设备提高

突破，静待大单带动业绩增长。2013年公司成功研制直拉区熔单晶炉，拉晶速度较传统设备提高30％，晶棒成本下降40％以上。公司区熔炉潜在订单主要为中环股份募投项目，目前中环股份增发已获证监会发审委核准

上生产太阳能电池硅片所用的主要方法是直拉工艺。在坩埚中，将半导体级多晶硅熔融，同时加入掺杂剂。在温度可以精细控制的情况下用籽晶能够从熔融硅中拉出大圆柱形的单晶硅。 半导体硅的性质依赖于它在制作过程的
将硼掺杂到直拉工艺的熔料中，从而生产出P型硅片。为了制造太阳电池，必须掺入n型杂质，以形成p-n结。磷是常用的n型杂质，现在常用的工艺是载气通过液态的POCl3混入少量的氧后通过排放有硅片的加热炉

电池生产线基础上增加少量设备，转换效率则会有较大幅度的提升。 据了解，目前在比较主流技术路线中，多晶硅转化效率为17.5%至18%，直拉单晶为19%至19.2%。应用了PERC技术，单晶可将转化效率从19

，转换效率则会有较大幅度的提升。据了解，目前在比较主流技术路线中，多晶硅转化效率为17.5%至18%，直拉单晶为19%至19.2%。应用了PERC技术，单晶可将转化效率从19%-19.2%提升至20