电镀工艺

，做成电池后可以在1年内将所耗的电能收回。如果能改善工艺，提高技术，那么从工业硅到制成电池所耗的电量还会降低，电池的能量再生比则会更大。 同时，我国目前的技术能够大量生产多晶硅，只是与国际先进技术
，硅材料的供应短缺问题将很快得到缓解。硅加工技术本身相当复杂，需要大量的资本投入，不过优势是发电成本较低。研发工作一方面侧重改进加工工艺，另一方面则在探索太阳多晶硅技术。现能有的一些技术难以逃脱

一. 硅片的化学清洗工艺原理　　硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：　　A. 有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。　　B.
杂质沾污有两大类：　　a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。　　b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般

技术流程包括铸锭(或单晶生长)、切方滚磨、用多线切割机切片、化学腐蚀抛光，其中铸锭(或单晶生长)环节属于高能耗，切割机等的投资规模相对较大，具有工艺、资金方面的壁垒。在这个环节中Sharp
STEPHEN J (US); GAY CHARLES F (US) 电镀太阳能电池的基体载体 WO2005029540 2004-8-6 2005-3-31

满足光伏工业发展的需要。同时硅材料正是构成晶体硅太阳电池组件成本中很难降低的部分，因此为了适应太阳电池高效率、低成本、大规模生产化发展的要求，最有效的办法是不采用由硅原料、硅锭、硅片到太阳电池的工艺
路线，而采用直接由原材料到太阳电他的工艺路线，即发展薄膜太阳电他的技术。 20世纪70年代开始，发展了许多制作薄膜太阳电他的新材料、CulnSe2、CdTe薄膜，晶体硅薄膜和有机半导体薄膜等

空间应用不断扩大，工艺不断改进，电他设计逐步定型。这是硅太阳电池发展的第一个时期。第二个时期开始于70年代初，在这个时期背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中
时期的主要特征是把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电他的制造工艺中。以各种高效电池为代表，电池效率大幅度提高，商业化生产成本进一步降低，应用不断扩大。 在