电路

并网电流波形质量下降，因此需要建立精准的模型来为SiC MOSFET在光伏逆变器中的应用提供指导。 目前的SiC MOSFET模型大多基于Pspice的仿真环境建立的，不能用于包含复杂的电路拓扑和
半导体器件道路上遇到的一大挑战。 为了研究和分析开关振荡对光伏逆变器的影响以及为减振器和阻尼电路的设计提供指导，需要建立精准的SiC MOSFET模型。目前针对SiC MOSFET的建模多数只关注

破12英寸高端硅片被五大国际厂商长期垄断的被动局面，投产后有望支撑我国集成电路产业的安全可持续发展。 当前，我国半导体硅片需求越发增大，但国产化比例低，目前能够量产的国产12英寸硅片以测试片为主，无法
满足正片需求，特别是28nm以下先进集成电路制造工艺的要求。2018年我国12英寸半导体硅片需求量近100万片/月，几乎全部依赖进口，12英寸硅片成为制约我国集成电路产业发展和产业安全的关键瓶颈

要求、试验方法、检验规则、标识、包装、使用说明书、运输、贮存和质量承诺，适用于连接到PV源电路直流电压不超过1500V，交流输出电压不超过1000V且额定功率大于30kW的用于工商业光伏发电系统的组串式

12月20日，无锡市产业强市贡献奖、科技创新贡献奖颁奖大会在无锡市人民大礼堂举行。中环领先集成电路用大直径硅片项目、无锡SK海力士半导体二工厂项目、无锡华虹集成电路项目等五个项目荣获重大产业项目
贡献奖。 本次大会旨在表彰推进无锡产业强市过程中开拓进取、奋发作为，发挥示范作用的单位、集体和个人。中环领先集成电路用大直径硅片项目的落地实施，为无锡产业强市注入了芯动力。 无锡作为中环股份

使用的锂电路线基本是在2倍率充放特性的工况下，每日实现500到2000次浅充放。目前，锂电行业内各类电芯在该场景下的使用寿命为2到10年不等，综合技术水平而非单纯电芯成本决定了储能调频项目的运营成本

期末员工总数的8.53%，较上年7.41%上升1.12个百分点。 截至去年底，公司累计拥有授权知识产权328项，其中发明专利99项，实用新型192项，集成电路布图设计35项，软件著作权2项。此外

座，储能电站1座。其中光伏电站容量为50兆瓦，全部采用310瓦多晶组件，设立50个常规集中式1兆瓦子方阵，以5回35千伏电缆电路接入站内35千伏母线，经35千伏线路送至光伏园区110千伏汇集站，经升压

;电机电器、电子器件、电器系统、电路、轮毂、轮胎等; D. 汽车设计： 整车设计、系统控制设计等。 E. 充电设施： 充电站，充电桩;充电站智能网络项目规划及成果展示、加油站扩建充(换)电

，作为世界重要的半导体材料，它的品质和产量决定着一个国家的电子工业水平。当前，随着电子信息工业、新能源汽车和物联网等行业的快速发展，未来3年至5年，包括高纯硅材料在内的集成电路产业将呈现持续高速增长态势
，电子级多晶硅作为制造大规模集成电路所需晶圆片最重要的基础原料，亦将保持旺盛需求。 省委、省政府审时度势，把绿色能源牌作为云南推进三产叠加、打好产业转型三张牌的关键所在，为云南硅产业发展提供了重大机遇

元，扩大34.9%。从月度规模看，11月当月进出口总额2.86万亿元，为今年单月最高水平。集成电路、光伏、机床、医疗器械等出口单价实现2位数增长。