湿法

刻蚀剂，与硅反应后生成具有挥发性的SiF4，后面还将详细介绍。5.1.2刻蚀技术的分类及特点刻蚀是采用化学或物理的方法，有选择地从半导体材料表面去除不需要材料的过程。通常刻蚀技术分为湿法腐蚀和干法刻蚀
两种。1.湿法腐蚀湿法腐蚀是通过化学溶液与被刻蚀材料发生化学反应而去除被刻蚀物质的方法。湿法刻蚀的特点是各向同性，但会因存在侧向腐蚀而产生底切现象，从而导致线宽失真，特别是微细线条的刻蚀更为困难，因此

工艺非常简单，第一步就是这个硅片要拿来清洗制绒，第二个就是一步的高温扩散，大家都是用P型电池，非常容易，而且现在这种扩散设备越来越好。第二个，大部分用湿法隔离，正面PSG的去除，还有背面抛光都是一次

。公司计划在江苏太仓建设晶硅电池技术研发中心，重点研究先进制绒、扩散、钝化和金属化技术。公司将投资2.25亿人民币，利用现有厂房，引进包括激光开孔、背面钝化、湿法刻蚀、掺杂系统等在内的研发设备和检测分析

ＰＮ结相对较浅，相同的烧结条件下，ＰＮ结较浅的地方易被浆料穿透，造成漏电流偏大。在生产中应严格控制方块电阻的大小，调整合适的工艺，使方块电阻的均匀性提高，从而降低电池的暗电流。２.２．３湿法刻蚀工艺湿法
刻蚀造成电池暗电流偏高的个重要原因是刻蚀边缘较大，ＰＮ结遭到破坏，导致镀膜印刷烧结后漏电。湿法刻蚀的硅片，边缘较大主要有以下原因：１）湿法刻蚀溶液粘度不足，主要表现为刻蚀液中Ｈ２Ｓ０４的浓度偏低；２

storage applications的邀请报告，并主持分会。以上研究工作受国家自然科学基金（50704031）、国家科技支撑计划（2012BAA03B03A）、北京市自然科学基金（2112039）等项目资助。（湿法冶金清洁生产技术国家工程实验室）

黑片，这种电池片大多产生于单面扩散工艺或是湿法刻蚀工艺，单面扩散放反导致在背面镀膜印刷，造成是PN结反，也就是我们通常所说的N型片，这种电池片会造成IV测试曲线呈现台阶，整个组件功率和填充因子都会

，指的是化学物理法。普罗公司所发明的CP法生产太阳能多晶硅，采用高温冶炼、炉外精炼、湿法冶金、粉末冶金、真空冶金以及离子交换等多项专有技术，去除各类杂质，最终将硅料提纯到6N~7N太阳能级多晶硅，并进
，所以，CP法的整个生产过程是没有任何有害物质排放的。CP法太阳能级多晶硅生产工艺共涉及到矿热炉冶炼、炉外精炼技术、湿法冶金、粉末冶金、真空熔炼、运动控制、石墨加热体、真空感应炉、温度场控制、定向凝固

MEI LLC公司近日取得了重要的工艺突破，创造了高纯度电子级多晶硅典范，可以生产高效光伏太阳能电池和半导体。 　　MEI Pura湿法处理系统可以获得高纯度的微小颗粒材料--在过去被
认为不可能进行大量干燥，并且相比现在用的湿法处理和干燥系统，其可以减少70%-80%的能源消耗，甚至更多。 　　此外，Pura通过减小湿法处理系统的封装面积从而节省了宝贵的生产占地面积

扩散，制成PN+结，结深一般为0.3-0.5um。(5)周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。(6)去除背面PN+结。常用湿法

、湿法、固态除杂、真空熔炼等阶段，通过造渣、扩散吸杂、真空脱气、定向凝固等精细冶金工艺，分步骤将硅中的杂质出去，得到纯度6.0~6.5N的太阳能级多晶硅。采用该技术生产多晶硅，单位能耗仅为12度电/kg