。公司计划在江苏太仓建设晶硅电池技术研发中心,重点研究先进制绒、扩散、钝化和金属化技术。公司将投资2.25亿人民币,利用现有厂房,引进包括激光开孔、背面钝化、湿法刻蚀、掺杂系统等在内的研发设备和检测分析
PN结相对较浅,相同的烧结条件下,PN结较浅的地方易被浆料穿透,造成漏电流偏大。在生产中应严格控制方块电阻的大小,调整合适的工艺,使方块电阻的均匀性提高,从而降低电池的暗电流。2.2.3湿法刻蚀工艺湿法
刻蚀造成电池暗电流偏高的个重要原因是刻蚀边缘较大,PN结遭到破坏,导致镀膜印刷烧结后漏电。湿法刻蚀的硅片,边缘较大主要有以下原因:1)湿法刻蚀溶液粘度不足,主要表现为刻蚀液中H2S04的浓度偏低;2
storage applications的邀请报告,并主持分会。以上研究工作受国家自然科学基金(50704031)、国家科技支撑计划(2012BAA03B03A)、北京市自然科学基金(2112039)等项目资助。(湿法冶金清洁生产技术国家工程实验室)
黑片,这种电池片大多产生于单面扩散工艺或是湿法刻蚀工艺,单面扩散放反导致在背面镀膜印刷,造成是PN结反,也就是我们通常所说的N型片,这种电池片会造成IV测试曲线呈现台阶,整个组件功率和填充因子都会
,指的是化学物理法。普罗公司所发明的CP法生产太阳能多晶硅,采用高温冶炼、炉外精炼、湿法冶金、粉末冶金、真空冶金以及离子交换等多项专有技术,去除各类杂质,最终将硅料提纯到6N~7N太阳能级多晶硅,并进
,所以,CP法的整个生产过程是没有任何有害物质排放的。CP法太阳能级多晶硅生产工艺共涉及到矿热炉冶炼、炉外精炼技术、湿法冶金、粉末冶金、真空熔炼、运动控制、石墨加热体、真空感应炉、温度场控制、定向凝固
MEI LLC公司近日取得了重要的工艺突破,创造了高纯度电子级多晶硅典范,可以生产高效光伏太阳能电池和半导体。
MEI Pura湿法处理系统可以获得高纯度的微小颗粒材料--在过去被
认为不可能进行大量干燥,并且相比现在用的湿法处理和干燥系统,其可以减少70%-80%的能源消耗,甚至更多。
此外,Pura通过减小湿法处理系统的封装面积从而节省了宝贵的生产占地面积
扩散,制成PN+结,结深一般为0.3-0.5um。(5)周边刻蚀:扩散时在硅片周边表面形成的扩散层,会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。(6)去除背面PN+结。常用湿法
、湿法、固态除杂、真空熔炼等阶段,通过造渣、扩散吸杂、真空脱气、定向凝固等精细冶金工艺,分步骤将硅中的杂质出去,得到纯度6.0~6.5N的太阳能级多晶硅。采用该技术生产多晶硅,单位能耗仅为12度电/kg
者。“我们取得这样的成功,提高了效率,只用了短短的一段时间,这真正体现了叠层太阳能电池技术的巨大潜力。” “一切都做好了,因为采用了一种成本非常低的湿法涂层工艺(wet-coating
、晶体硅电池生产设备等,具体包括全自动硅芯/硅棒清洗设备、全自动硅料清洗设备、全自动硅片清洗设备、全自动单晶制绒酸洗综合设备、多晶链式制绒设备、湿法刻蚀设备、等离子体刻蚀机、PECVD、非晶硅玻璃基片清洗
厮杀比较激烈时,这两家企业的竞争力并没有被削弱。德国SCHMID公司与RENA公司(瑞能)都是漂洗式设备领域的主流供应商,其中RENA的产品覆盖了光伏湿法加工设备的大部分领域,包括自动化硅片清洗设备