湿法
0.5-0.8元/片，但和单晶不同，多晶要叠加黑硅制绒以减少反射增强光吸收，一年来湿法黑硅技术被证明量产提效0.3%-0.6%，多晶不上黑硅都不好意思跟人打招呼。据测算，湿法黑硅技术成本上升约0.02元
扩散工艺或是湿法刻蚀工艺，在PE扩散面放反导致在背面镀膜印刷，使得PN结成反向。 断栅片 电池片断栅主要在生产环节和人为使用环节造成。在丝网印刷工序时，由于浆料问题或者丝网印刷参数设置不当导致
保利协鑫发布第二代高效黑硅片
11月2日，在第九届中国(无锡)国际新能源大会开幕当天，保利协鑫重磅发布TS+系列第二代黑硅片，引发客商广泛关注。TS+黑硅片采用保利协鑫最新一代湿法黑硅技术，其效率更高
。
保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒
来袭保利协鑫发布第二代高效黑硅片11月2日，在第九届中国(无锡)国际新能源大会开幕当天，保利协鑫重磅发布TS+系列第二代黑硅片，引发客商广泛关注。TS+黑硅片采用保利协鑫最新一代湿法黑硅技术，其效率
。保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒技术，继承
起跑线。但金刚线切多晶硅片面临表面处理问题，目前已经成熟量产的黑硅技术不但成功解决绒面反射，而且提升0.3%-0.6%的转换效率，效率提升的增益超过黑硅制绒端的投入。据测算，湿法黑硅技术成本上升约
切多晶硅片面临表面处理问题，目前已经成熟量产的黑硅技术不但成功解决绒面反射，而且提升0.3%-0.6%的转换效率，效率提升的增益超过黑硅制绒端的投入。据测算，湿法黑硅技术成本上升约0.02元/瓦左右
解决反射率过高的问题，所以明年多晶组件的出货的主要功率均为270~275W之间的产品，产能可以高达40GW以上。
2)湿法黑硅
干法黑硅技术路线储备很久，但是成本下不来(每片成本0.3元)，干法
黑硅这一技术路线很可能面临淘汰的命运;保利协鑫主推的湿法黑硅技术随着新一代TS+黑硅工艺的推出，成本大幅下降的同时性能又有所提升，主流功率应该在275W。今年黑硅设备扩张很快，各个厂家黑硅设备已经突破
，所以明年多晶组件的出货的主要功率均为270~275W之间的产品，产能可以高达40GW以上。2)湿法黑硅干法黑硅技术路线储备很久，但是成本下不来(每片成本＞0.3元)，干法黑硅这一技术路线很可能面临淘汰的
命运；保利协鑫主推的湿法黑硅技术随着新一代TS+黑硅工艺的推出，成本大幅下降的同时性能又有所提升，主流功率应该在275W。今年黑硅设备扩张很快，各个厂家黑硅设备已经突破200台，对应总产能超过16GW
器件研究团队，在有机太阳能电池领域取得系列进展。继2015年研发可湿法加工的低价非共轭小分子电解质，用作阴极界面层，突破单结有机太阳能电池10%的效率瓶颈后，在有机太阳能电池界面调控方面继续开展深入
成熟量产的黑硅技术不但成功解决绒面反射，而且提升0.3%-0.6%的转换效率，效率提升的增益超过黑硅制绒端的投入。据测算，湿法黑硅技术成本上升约0.02元/瓦左右，有0.05元/瓦的增益，性价比提升
