氮化硅

　　1.1 硅片裂纹 　　硅片的微裂纹 　　由于硅片生产中也会产生微裂纹，实际出厂中还是很多被通过了，在电池片表面镀上氮化硅膜后，很难检测出这种细小的裂纹缺陷 　　1.2 组件端隐裂

器件，目前常规产业化晶体硅电池前表面主要是由产生光电流的氮化硅受光区域与收集电流的金属栅线电极组成，栅线是电池的重要组成部分，它负责把电池体内的光生电流输运到电池外部，而由于电池串联电阻引起的电学损失
硅片表面的区域，磷杂质浓度超过硼杂质浓度，从而制得一层薄的、重掺杂的n型区。之后去除电池片的氧化层和侧面及背面的结。再通过化学气相沉积法制成一层减反射膜氮化硅膜。最后用丝网印刷的方法印刷电极并烧结

晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。虽然这一结构
SiO2钝化电池表面，并取得不俗的开路电压和效率。SiNx：H 第一次进化90年代，科研机构和制造商开始探索使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备含氢的氮化硅(SiNx：H)薄膜用作电池

钝化替代品需要拥有和SiO2相同的特性，这是在未来工业生产晶体硅高效太阳能电池所必须的。另一种主要研究的替代品是氮化硅（SiNx），一般用化学汽相淀积（PECVD）法在约400℃时生成，而且在P型硅上
具有和SiO2相同的SRVs 。但是当其应用于钝化极的背面和（PERC）太阳能电池的背面时，相比于SiO2钝化膜，短波电流密度减少的速度要快得多。这种影响归因于氮化硅膜中高浓度正电荷在氮化硅膜下的

项目，高纯度氮化硅、正极材料及薄膜项目，碳化硅晶片及外延片项目，光纤预制棒项目。牵头单位：省经济和信息化委责任单位：西宁市政府、海东市政府，省发展改革委、省科技厅、省财政厅、省环境保护厅，西宁

去除电池片的氧化层和侧面及背面的结。再通过化学气相沉积法制成一层减反射膜氮化硅膜。最后用丝网印刷的方法印刷电极并烧结成片。实验过程中，分别取原硅片、扩散后、湿刻后、印刷烧结后各10片进行测试对比分析。 2

硅片上下表面相互绝缘。然后把硅片在HF溶液中完全去除扩散过程中产生的磷硅玻璃（PSG）。 PECVD：通过微波电能使反应气体电离，在局部形成等离子体，在基片上沉积出氢氮化硅薄膜。增强对光的吸收性的

了那家韩资企业，来到了新公司。要说在韩资企业最大的收获是什么，那就是学到了一定的管理知识。外资企业管理确实比民营企业好。远期目标：10年内，财务自由，成为一个职业投资者。（注：楼主在光伏行业做了3年研发，2年研发管理，现在所在的新材料还是光伏行业的辅材，主要是氮化硅粉、氮化硅陶瓷。楼主：按图索牛）

-半导体电池的衍生物，在20世纪七十年代，著名科学家，比如新南威尔士大学马丁格林教授曾从事于使用隧道氧化物层，反型层以及传统氮化硅钝化层增强PN结的研究。那时，金属-绝缘体-半导体电池创造了655毫伏

使用隧道氧化物层，反型层以及传统氮化硅钝化层增强PN结的研究。那时，金属-绝缘体-半导体电池创造了655毫伏开路电压和17.6%转换效率的世界纪录，并模拟推算出可创造23%转换效率的可能性。这种混合型