氟膜厚度

表面附着一层包括In、Sb、Zn和Cd的氧化物及其多元复合氧化物薄膜材料而构成的。透明导电薄膜以掺锡氧化铟（In2O3:Sn，简称ITO）和掺氟的氧化锡（SnO2:F，简称FTO）为代表。导电膜的研究
提高明显。 2.3.1纳米晶TiO2薄膜厚度对光利用的影响 　　提高膜厚可以增加对光的吸收，但研究表明，薄膜厚度太大会影响电解液中的离子在薄膜中传输。为解决这一问题，可以通过在光阳极上增加一层约几百

（PV）产业正期待着一些处于研究开发中的选择方案。其中最显然的一种就是转向更薄的硅衬底。现在，用于太阳能电池生产的硅衬底厚度略大于200mm，而衬底厚度略小于100mm的技术正在开发中。为使硅有源层薄至
太阳能电池，即将一层厚度只有几微米的晶体硅淀积在便宜的异质衬底上，比如陶瓷（图2）或高温玻璃等。晶粒尺寸在1-100mm之间的多晶硅薄膜是一种很好的选择。我们已经证实，利用非晶硅的铝诱导晶化可以获得

,增强光的有效吸收,对电池表面进行钝化和通过改进电极的结构。在增强对太阳光 的有效吸收方面采用了多种方法:如多层减反射膜,倒金字塔结构,机械和化学刻槽等。而随
样品采用未经抛光的p型(100)面硅单晶,厚度约400Lm,电阻率0.5-1.58·cm,未经 磨、抛的单晶硅片分别用酸性和碱性腐蚀液除去表面

同，非晶硅锗膜通常比非晶硅缺陷更多。膜中硅与锗原子并不是均匀混合分布的，氢化时，氢择优与硅键合，克服这些困难的关键是，采用氢稀释沉积法和掺氟。这些材料的光电子特性可以做得很好，但氢含量通常偏高，材料的

正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体一侧产生一个n
受到重视。比较典型的聚光电池是斯但福大学的点接触聚电池，其结构与非聚光点接触电池结构相同，不同处是采用200 Ωcm高阻n型材料并使电池厚度降低到100一160tLm，使体内复合进一步降低。这种电池在