栅线

，在发射结扩散后，用激光在前面刻出20m宽、40m深的沟槽，将槽清洗后进行浓磷扩散。然后在槽内镀出金属电极。电极位于电池内部，减少了栅线的遮蔽面积。电池背面与PESC相同，由于刻槽会引进损伤，其性能略低于PESC电池。电池效率达到19．6％。

布线的技术去除主正面的主栅线，有效的降低了遮光面积，提高入射太阳光的利用率，同时采用全新的组件封装模式进行共面连接，既减小了电池片间的间隔，提高了封装密度，通过导电背板的金属箔相互连接，封装损失又可

产品稳定性最优，有些是焊接性最优，有些企业的产品虽然没有突出表现但各方面都比较均衡。4.效果：高性能光伏银浆不仅穿透力强、印刷性能好，能使电池表面的栅线达到更好的高宽比，减少电池表面的遮光面积，还可
可能降低烧结峰值温度和保温时间。六、玻璃粉含量影响图9玻璃粉质量分数与栅线体电阻关系玻璃粉质量分数比重大，玻璃体阻挡层过厚，通过隧道效应导通的几率降低。因此，烧结后浆料体电阻率上升。图10玻璃粉质量分数与

厚度。若焊带宽度宽于电池的主栅线，会造成遮光面积的增多，降低电池效率，所以焊带宽度也不应变化。因此考虑增加铜带的厚度，而焊带变厚会带来焊接时电池碎片问题。因此，需要选用适合宽度和厚度带来焊接时电池碎片
转换效率，开始采用高方阻、密栅的工艺，高方阻电池和常规的P型电池的光谱响应是不相同的，图4显示的是效率相近的常规电池（CellⅠ）和高方阻（CellⅡ）的内量子效率曲线对比图，可以看出，高方阻电池在段

。金属的电阻值等于电阻率乘以金属长度再除以金属横截面积。由于电阻率和长度值固定、不易改变，要降低焊带的电阻应考虑增加焊带的宽度和厚度。若焊带宽度宽于电池的主栅线，会造成遮光面积的增多，降低电池效率
波长光的透射率为37.1%，而其他三种加入抗紫外剂的EVA对在360nm波长以下范围内的光是截止的。但现在电池厂家为提高太阳电池的转换效率，开始采用高方阻、密栅的工艺，高方阻电池和常规的P型电池的光谱

降低焊带的电阻应考虑增加焊带的宽度和厚度。若焊带宽度宽于电池的主栅线，会造成遮光面积的增多，降低电池效率，所以焊带宽度也不应变化。因此考虑增加铜带的厚度，而焊带变厚会带来焊接时电池碎片问题。因此，需要
，开始采用高方阻、密栅的工艺，高方阻电池和常规的P型电池的光谱响应是不相同的，图四显示的是效率相近的常规电池（CellI）和高方阻电池（CellII）的内量子效率曲线对比图，可以看出，高方阻电池在短波

　　茂迪还可以提供新型光伏电池，包括三栅线的单晶和多晶电池 ，茂迪美洲有限责任公司（纽瓦克，特拉华州，美国）近日宣布该公司将加强产品的供应，包括再新型太阳能光伏电池的设计，高功率的
，包括三栅线的单晶和多晶电池。此外，茂迪指出，它已经更新新型号产品的命名，将会帮助开发人员易于区分不同产品的类别和产品描述性，满足购买合约和租赁市场的金融规范。茂迪美洲是茂迪股份有限公司（台湾台南市）的光伏组件工程中心。Baron译

抛光硅片反射率可达３０％以上；２．上电极的遮光损失，作为上电极的金属栅线要遮掉５％～１５％的入射光；３．进入硅片能量大于禁带宽度的光子在电池背面的投射。３种光学性质的损失中，硅表面的反射损失最多。通过

试验反烧工艺，即将电池片的背电极朝上放在网带上烧结。它的优点是有利于背场形成，减少铝对电池的污染，转换率较高；缺点是网带易划伤正面栅线。因此，采用带突点的网带或类似热风回流焊机的带支撑短杆的链式传动

中多子支配暗电流的情况得到抑制，而变成少子隧穿决定暗电流，与pn结类似。其中i层起到减少表面复合的作用。经过改进的M1S电池正面有20一40m的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜
通信卫星开发的。因其浅结（0．1一0．2m）密栅（30／cm）、减反射（Ta2O5短波透过好）而获得高效率。在一段时间里，浅结被认为是高效的关键技术之一而被采用。（3）表面织构化电池也称绒面电池最早