栅线

，用激光在前面刻出20m宽、40m深的沟槽，将槽清洗后进行浓磷扩散。然后在槽内镀出金属电极。电极位于电池内部，减少了栅线的遮蔽面积。电池背面与PESC相同，由于刻槽会引进损伤，其性能略低于PESC电池
。电池前面栅线也采用丝印技术。15cmX15cm大面积多晶硅电池效率达17.1％。目前日本正计划实现这种电池的产业化。 　　（4）我国多晶硅电池 　　北京有色金属研究总院在多晶硅电池方面作了大量

槽清洗后进行浓磷扩散。然后在槽内镀出金属电极。电极位于电池内部，减少了栅线的遮蔽面积。电池背面与PESC相同，由于刻槽会引进损伤，其性能略低于PESC电池。电池效率达到19.6％。（2）斯但福大学的
）Kysera电池日本ky0cera公司在多晶硅高效电池上采用体钝化和表面钝化技术，PECVDSiN膜既作为减反射膜，又作为体钝化措施，表面织构化采用反应性粒子刻边技术。背场则采用丝印铝奖烧结形成。电池前面栅线也

之后，需在电池顶部沉积铟锡氧化物(ITO)，即透明导电氧化层作为入射光的减反射层。然后需要在光入射一面布置栅线，并根据最后电池的尺寸和形状，进行切割、电极接合、电池切割和电池互联，从而构成具有一定参数

或短路。3)、残留过多会粘连灰尘和杂物。4)、影响产品使用的可靠性5)、影响EVA与电池片的粘结。6)、可能在电池片的主栅线产生连续性的气泡。7)、助焊剂的储存环境一般助焊剂使用期为6个月，放置干燥
并附牢固的焊料层。在焊接过程中可以有效地清除栅线表面的氧化物，加快烙铁头温度的传递，将焊带牢固的与电池片的主栅线结合。4、焊带的储存环境：焊带避光、避热、避潮，不得使产品弯曲和包装破损。最佳贮存条件

使用使用浓度为1%的氢氟酸进行60到180秒的腐蚀，这样可以去除缺陷层来使粗糙度降低，接近抛光硅的效果。栅电极的优化设计如果可以去除栅线的延展部分，纵横比提高1.0以后，效率可以在提高1.6%。这

的，过焊会造成电池部分电流的收集障碍，该缺陷发生在主栅线的旁边。成像特点是在EL图像下，黑色阴影部分从主栅线边缘延副栅线方向整齐延伸。栅线外侧区域，一般为全黑阴影。栅线之间一种是全黑阴影，一种是由深至

=I2dR；(1)dR=psdy/B；(2)式中ps为薄层电阻率；均匀光照下两条细栅线的正中间电流为零，向两侧线性增加，到达栅线处为最大值，因此：I=Jby，J为电流密度。横向功率损耗：通过减小栅线间距离可以

索比光伏网讯:所谓选择性发射极（SE-selectiveemiter）晶体硅太阳电池，即在金属栅线（电极）与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高
，前栅接触电阻、体电阻和扩散层薄层电阻对串联电阻贡献最大。根据金属-半导体接触电阻理论，接触电阻与金属势垒（barrierheight）和表面掺杂浓度（Nb）有关，势垒越低，掺杂浓度越高，接触电阻越小

的熊猫计划、尚德的冥王星计划，郑飞说他们有个提高电池转换效率的火星计划。他做了一个形象的比喻：为了提高太阳能转换效率，日地太阳能在电池板的绒面上做了个栅线，栅线就像军队里的指挥，把因日照产生位移的电子

降低至180微米，甚至是160微米。银浆的消耗量则有望从8毫克降低至5毫克甚至3.5毫克。更细化的栅线，两次印刷等技术也很有可能在不远的将来被量产所采用。 刘勇预测，随着硅片厚度持续减薄