更低开路电压

热生长10nm表面钝化氧化层，并使背面Al和硅形成合金，正面氧化层可大大降低表面复合速度，背面Al合金可吸除体内杂质和缺陷，因此开路电压得到提高。早期PESC电池采用浅结，然而后来的研究证明，浅结只是
大于少子扩散长度以减小复合。这种电池达到了大约700mV的开路电压和22．3％的效率。然而，由于接触点间距太大，串联电阻高，因此填充因子较低。 　　（C）钝化发射区和背面局部扩散电池（PERL）：在

10nm表面钝化氧化层，并使背面Al和硅形成合金，正面氧化层可大大降低表面复合速度，背面Al合金可吸除体内杂质和缺陷，因此开路电压得到提高。早期PESC电池采用浅结，然而后来的研究证明，浅结只是对没有表面
电池达到了大约700mV的开路电压和22．3％的效率。然而，由于接触点间距太大，串联电阻高，因此填充因子较低。（C）钝化发射区和背面局部扩散电池（PERL）：在背面接触点下增加一个浓硼扩散层，以减小

接触，这样会导致高缺陷，这样界面面积和缺陷态密度的增大会导致高的暗电流，继而开路电压也会减低。在制备中将温度控制在200度以下能够抑制非晶硅的外延。二、HIT太阳能光伏电池工艺的改良方向提高界面钝化
而和a-Si:H薄膜中的缺陷态相互作用，这样构成了载流子的复合通道。可以使用多形硅来作为钝化层，因为它具有更低的缺陷态密度和暗电流。光陷结构和表面清洗将制绒后的织构表面层使用硫酸和双氧水进行氧化，然后

外量子效率相应地，测试了电池的电性能参数，结果见表2。电性能参数测试结果表明，确实短波部分反射率的降低，外量子效率的提高体现在双层氮化硅电池比单层的短路电流稍有提高。另外我们注意到开路电压同样也有2-3mV的
电池平均电性能参数对比见表3。从表中可以看到双层氮化硅多晶电池比单层转换效率提高了0.3%，这主要得益于开路电压和短路电流的提高。表3批量试制单双层氮化硅多晶电池平均电性能参数双层氮化硅试验结果表明

复杂性增加了计算时间，并降低了采样频率。第三种方法是恒定电压法，其利用这样一个事实：一般而言，VMPP/VOC的比约等于0.76。这种方法所出现的问题在于它要求立刻设置PV阵列电流为0来测量阵列的开路
负载和空气环境，从而为单个太阳能板和整个系统提供最佳的转换效率。微型逆变器构架还实现了更简单的布线，从而实现更低的安装成本。通过提高用户太阳能系统的效率可缩短系统的初始技术投入回报时间。　　电源逆变器是

一直利用丝网印刷技术来形成，因此孔较大，无法充分提高开路电压（Voc）。而现在通过利用钝化膜等手段，可形成小的连接孔。 　　而异质结技术则存在成本能否降低的问题。因为该技术在非晶硅层及透明导电膜的
接触技术和异质结技术都存在技术难题。哪一个能解决课题，并且成本更低，哪一个就能够胜出。 　　背接触技术的课题在于背面电极与电池单元之间的连接孔的形成上。要想抑制载流子的再结合，就必须减少连接孔。过去

阳离子交换化学技术，制造出了高质量的以半导体硫化镉为核、硫化铜为壳的核/壳纳米线太阳能电池。这种廉价且易制造的电池的开路电压和填充值（这两者共同决定太阳能电池能产生的最大能量）都高于传统的平板太阳能电池
外壳。杨培东表示：以前纳米线太阳能电池的开路电压和填充值远低于平板太阳能电池，造成其性能有欠缺的原因包括，进行高温掺杂处理时PN结的表面复合问题以及很难对PN结的质量进行控制。新方法为我们提供了一种

／壳纳米线太阳能电池。这种廉价且易制造的电池的开路电压和填充值（这两者共同决定太阳能电池能产生的最大能量）都高于传统的平板太阳能电池，而且其能源转化效率为5.4%，可与传统太阳能电池相媲美。传统
的硫化镉纳米线浸入氯化铜溶液中，在50摄氏度的温度下保留5秒～10秒，随后，阳离子交换反应将最外层的硫化镉转化为一个硫化铜的外壳。杨培东表示：以前纳米线太阳能电池的开路电压和填充值远低于平板太阳能电池

为核、硫化铜为壳的核/壳纳米线太阳能电池。这种廉价且易制造的电池的开路电压和填充值（这两者共同决定太阳能电池能产生的最大能量）都高于传统的平板太阳能电池，而且其能源转化效率为5.4%，可与传统
，长达50毫米。科学家们接着将生成的硫化镉纳米线浸入氯化铜溶液中，在50摄氏度的温度下保留5秒到10秒，随后，阳离子交换反应将最外层的硫化镉转化为一个硫化铜的外壳。杨培东表示：以前纳米线太阳能电池的开路

　　外延薄膜硅太阳能电池的效率不算太高（半工业化丝网印刷技术制作的电池约为12%），这限制了光伏业界对这种电池类型的关注程度。它可以获得与体硅太阳能电池相当的开路电压和填充因子（单晶硅太阳能电池为
层面积为1 cm2的电池中，并与带有外围基极接触的电池进行比较（图6）。两种接触类型的开路电压（Voc）基本相当，但是叉指状接触的电池在短路电流（Jsc）和填充因子方面的表现要好得多。根据晶粒尺寸和层厚