晶
单分散胶体钙钛矿纳米晶的放大合成对其实际应用至关重要，但由于钙钛矿快速结晶的特性，其规模化合成仍然面临挑战，尤其是超小尺寸、单分散CsPbBr纳米晶的放大合成更为困难，常伴随纳米片副产物的生成。放大合成的CsPbBr纳米晶在480nm处呈现蓝光发射，半峰宽仅为21nm。该工作为超小纳米晶的规模化制备提供了解决方案，并提出了一种可推广的配体设计思路，助力高效钙钛矿光电器件的实用化发展。
钙钛矿太阳能电池的耐久性主要受限于钙钛矿晶界和晶面处的缺陷与不完整结构。本文香港大学WallaceC.H.Choy等人提出一种两步顺序专用配体策略，通过空间分辨的配体相互作用，分别针对GBs和GSs进行选择性修饰。该工作通过顺序重构GBs和GSs，为实现高效稳定的三维PSCs提供了有效途径。效率与稳定性同步提升：器件效率达26.06%，并在高温高湿下连续运行3000小时仍保持93%以上效率，稳定性显著优于现有方法。
针对深蓝色钙钛矿发光二极管（LED）中因宽带隙钙钛矿结构缺陷导致的载流子传输受损与非辐射复合严重等关键挑战，清华大学、南京工业大学、香港理工大学等多家科研团队创新性提出原位生长高质量单晶薄膜（SCTF）与双层协同钝化界面策略。该研究通过空间限制生长法在空气中原位制备出大面积、高取向、原子级平滑的PEA₂PbBr₄钙钛矿单晶薄膜，并结合理论计算指导缺陷调控，实现了深蓝光高效辐射。在器件工程方面，通过优化空穴传输层与覆盖基板界面，采用两段式热退火结晶工艺，显著提升了薄膜质量与发光效率。最终，基于该单晶薄膜的深蓝钙钛矿LED实现了中心波长419 nm、最大亮度179 cd/m²的深蓝电致发光，其外量子效率达0.19%，是目前基于二维钙钛矿的深蓝器件中亮度最高的成果之一。该研究以"Deep-blue light-emitting diodes based on perovskite single-crystal thin films"为题发表在顶级期刊《Science Advances》上。
为此，我们提出了一种晶界能带反转策略，采用二丁基二硫代氨基甲酸铅作为界面钝化剂，同时实现了对1.68eV宽带隙钙钛矿薄膜的缺陷钝化以及晶界与晶粒间能带弯曲方向的反转。结合对空位缺陷的钝化作用，基于该策略的倒置结构器件实现了22.2%的功率转换效率，是目前空气中制备的1.68eV宽带隙钙钛矿电池中最高效率之一。本研究通过晶界能带反转策略，成功实现了高效率与环境制备的兼容性，推动了钙钛矿光伏技术的产业化进程。
为此，作者提出了一种晶界能带反转策略，采用二丁基二硫代氨基甲酸铅作为界面钝化剂，同时实现了对1.68eV宽带隙钙钛矿薄膜的缺陷钝化以及晶界与晶粒间能带弯曲方向的反转。本研究通过晶界能带反转策略，成功实现了高效率与环境制备的兼容性，推动了钙钛矿光伏技术的产业化进程。第一性原理计算与系统表征进一步证实，PbDBuDTC的官能团可有效钝化钙钛矿晶格中的空位缺陷，抑制非辐射复合。
然而，在水合手性液晶体系中实现钙钛矿纳米晶的双手机性圆偏振发光仍面临挑战，主要因其易受水分诱导降解和液晶有序性破坏的影响，从而限制了发光效率、结构完整性和手性光学调控能力。重要的是，通过设计非对称双层结构的反射特性，该复合材料可实现依赖观察方向的双手机性圆偏振发光。
本研究嘉兴学院周二军、北京化工大学于润楠和谭占鳌等人通过引入金属螯合物，调控钙钛矿薄膜的纳米力学性能。该策略不仅聚焦于薄膜的纳米力学特性，还揭示了其物理性能与机械柔韧性之间的内在联系。纳米力学-光电性能协同调控：系统阐明了金属螯合物通过静电作用与氢键调控薄膜模量与应变，同步提升载流子寿命与器件稳定性，为柔性光电器件设计提供新思路。
近日，广西北海市行政审批局发布关于拟作出“瑞晶5GW高效光伏组件研发科创制造基地项目”环境影响报告表审批意见的公示。项目拟设置两条生产线，单条生产线产能为2.5GW/年，本项目总生产规模为5GW/年。项目建设单位为瑞晶能源（北海）有限公司，是创维爱旭（北海）太阳能科技有限公司全资子公司，其将基于爱旭集团的BC技术投资建设瑞晶5GW高效光伏组件研发科创制造基地项目。
准外延聚合物-钙钛矿界面是推动下一代光电子器件的关键，具有高效的激子解离和载流子传输特性。这些发现凸显了精密设计的聚合物-钙钛矿微晶异质结在突破当前性能瓶颈方面的重要性，为开发具有卓越性能和可靠性的可扩展、超快光子器件铺平了道路。研究亮点：成品率飞跃与界面创新：通过优化电极图案与准外延生长工艺，将功能性聚合物-钙钛矿微晶异质结的制备成品率从5%大幅提升至38%，为实现可扩展制备奠定了坚实基础。
隆基绿能中央研究院李振国、徐希翔、 Liang Fang、Chaowei Xue、兰州大学贺德衍及中山大学高平奇等人提出一种混合型叉指背接触太阳电池，通过全域表面钝化与激光诱导隧穿接触的协同设计，实现 27.81% 的光电转换效率，达到理论极限的约 95%。工艺上整合高低温工艺，有效抑制复合并优化接触性能，填充因子达 87.55%，逼近理论极限的 98%。
