晶锭

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江西晶科能源有限公司并购浙江太阳谷能源应用科技有限公司来源:Solarbe.com 发布时间:2009-06-17 18:58:48

等生产设备,并拥有多套国内最先进的酸洗设备及相关设施。07年生产能力70兆瓦,08年硅锭达到300兆瓦、硅片335兆瓦,预计09年硅锭将达到约515兆瓦、硅片约560兆瓦,到2010年硅锭将达到约
、硅锗之CVD磊晶成长技术及经验。2006年5月在浙江省海宁市袁花镇中国太阳能基地创建太阳谷公司,预计在2007年可投入第一条线,公司的发展受到了省、市等各级政府的大力支持,给太阳谷公司和光伏产业注入极大的动力和鼓励。(Solarbe原创未经许可,转载必究!)

江西晶科能源有限公司并购浙江太阳谷能源科技有限公司来源:solarbe 发布时间:2009-06-17 15:52:33

等生产设备,并拥有多套国内最先进的酸洗设备及相关设施。07年生产能力70兆瓦,08年硅锭达到300兆瓦、硅片335兆瓦,预计09年硅锭将达到约515兆瓦、硅片约560兆瓦,到2010年硅锭将达到约
、硅锗之CVD磊晶成长技术及经验。2006年5月在浙江省海宁市袁花镇中国太阳能基地创建太阳谷公司,预计在2007年可投入第一条线,公司的发展受到了省、市等各级政府的大力支持,给太阳谷公司和光伏产业注入极大的动力和鼓励。(Solarbe原创未经许可,转载必究!)

太阳能硅片大厂PV Crystalox:明年太阳能产业将好转来源: 发布时间:2009-06-03 13:38:59

Thomson Reuters 1日报导,英国太阳能多晶硅暨硅片大厂PV Crystalox Solar Plc首席执行官lain Dorrity在受访时表示,由于新推出的经济振兴方案奏效,加上

江苏省新能源产业调整和振兴规划纲要 全文来源:Solarbe.com 发布时间:2009-06-03 11:58:27

。 硅片。重点发展大面积超薄硅片和浆料回收利用技术,加强对熔铸、剖锭及切割等关键技术创新,提高熔锭容量,降低硅片厚度,减少硅料损耗。支持镇江辉煌硅能源、常州亿晶、江阴海润等一批骨干企业提升
以上太阳能电池生产线建设和苏州百世德等500兆瓦太阳能薄膜电池技术研发和生产项目,形成产能10000兆瓦/年以上。 3.镇江辉煌太阳能、常州亿晶、江阴海润等企业1000兆瓦多晶片和单晶片建设和

太阳能硅晶圆大厂PV Crystalox看好2010年市况 来源:Solarbe.com 发布时间:2009-06-02 11:20:13

Thomson Reuters 1日报导,英国多晶硅暨太阳能硅晶圆大厂PV Crystalox Solar Plc执行长lain Dorrity在受访时表示,由于新推出的经济振兴方案奏效,加上

多硅晶厂PV Crystalox营收预警 股价大跌13%来源:精实新闻 发布时间:2009-05-19 11:25:34

英国多晶硅及太阳能硅晶圆大厂PV Crystalox Solar Plc 15日指出,受到订单递延的因素影响,2009上半年度营收恐将较08年度同期的1.26亿欧元减少约10%。该公司表示,需求
为日本太阳能电池龙头厂商Sharp Corp.的硅晶原料最大供货商,其产量中约3/4销往日本,其余出口至欧洲。

山西太阳能在生产设备方面取得重大突破来源: 发布时间:2009-03-03 09:50:59

缓缓吊出,科研人员喜不自禁、喜泪横流。这块方锭,在真空条件下经历了1570摄氏度的高温锤炼、50个小时的晶体生长,经过加热、熔化、长晶、退火、冷却、出锭等环节的洗礼,出落得晶莹剔透,宛若天外来客!这是

分析:晶硅电池片项目对光伏产业链的拉动来源: 发布时间:2008-12-29 09:42:59

生产最常用的工艺就是直拉法。在这个过程中,多晶硅料放入石英坩埚中,经过加温后缓慢融化,浸入一根具有一定晶向的籽晶,经过缩颈、放肩、转肩、等径、收尾生长和冷却过程,完成一根单晶的生长过程。多晶晶锭生产最常
用的工艺是铸锭法。在这个过程中,多晶硅放入石英坩埚中,经过加热、融化、长晶、退火和冷却,完成一个多晶晶锭的生长过程。把单晶硅棒或多晶晶碇切割成硅片,目前基本上采用的是多线切割技术。将硅棒或硅锭经表面

APSTL宣布在晶体硅衬底上取得进展来源:半导体国际 发布时间:2008-12-03 11:23:36

是晶体硅薄膜,具有很好的导电性,这很适合提高太阳能的转换效率,”公司的CTO Dev Gupta这样介绍。这种方法将晶体硅薄层沉积在金属衬底上。该工艺避免了切割带来的损耗,将硅的消耗(g/Wp

APSTL宣布在晶体硅衬底上取得进展(图)来源: 发布时间:2008-12-01 17:14:59

是晶体硅薄膜,具有很好的导电性,这很适合提高太阳能的转换效率,”公司的CTO Dev Gupta这样介绍。这种方法将晶体硅薄层沉积在金属衬底上。该工艺避免了切割带来的损耗,将硅的消耗(g/Wp