SiO2隧穿氧化层实现如图4所示,具有很好的选择性,而多晶硅层由于采用晶化处理,此钝化结构具有很好的热稳定性。TOPCon全接触钝化的创新结构,克服了背面金属区接触复合较高的问题,利用一层超薄氧化层
,可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合,进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集,从而极大地降低了金属下的复合电流,提升了电池的开路电压和短路电流。相较于PERT电池,TOPCon技术只需要增加
工艺,其新工艺能给生产厂家提供更多的益处。表示他们的技术更简单、更价廉,且无金属,可以达到20%以上的电池效率,有潜力成为被多晶硅太阳能电池制造商广泛使用的主流织构技术。 据SERIS表示,这一工艺已获得了几家一线厂商的认可。该机构准备与这些厂家密切合作,将其扩大到大型生产线。
技术的首席发明人黄颖(音译)博士表示, 我们的技术更简单、更便宜、没有使用金属,电池效率超过20%。出于这些原因,我坚信我们的技术会成为多晶硅太阳能电池制造商使用的主流制绒技术。
新加坡太阳能
位于新加坡国立大学(NUS)的新加坡太阳能研究所(SERIS)的研究人员宣布,他们开发出一种用于金刚线多晶硅片切割(mc-Si)后纳米级制绒的成本极低的技术。
新加坡太阳能研究所指出,由于现有蚀刻
技术解决了金刚线切多晶硅片的反射率过高问题,由于表面反射率的降低,硅片光吸收能力提升,还能附带一定电池效率的提升。因此,金刚线切多晶硅片搭配黑硅技术的工艺,既能降低硅片成本又能提升电池效率,是多晶电池
中,光照或电流注入导致硅片中形成硼氧复合体,降低了少子寿命,从而使得部分光生载流子复合,降低了电池效率,造成光致衰减。
而非晶硅太阳能电池在最初使用的半年时间内,光电转换效率会大幅下降,最终稳定
降。市场主流晶硅光伏组件的峰值温度系数大概在-0.38~0.44%/℃之间,即温度升高,光伏组件的发电量降低,意思是:理论上是温度每升高一度,发电量降低0.38%左右。而薄膜太阳能电池温度系数会好很多,如
日本东京工业大学和早稻田大学的一个联合研究小组开发出一种新型薄膜单晶硅太阳能电池生产技术,这项新技术有望极大降低大规模生产的成本,同时还能保持较高的电池效率。
科学家们声称,他们能研制出一种
优质薄膜单晶硅,其厚度约为10m、且晶体缺陷密度被降低。其硅密度降低到硅晶片的水平,而增长速度超出先前的10倍以上。
研究人员通过一种区域加热重结晶方法(ZHR法),将表面粗糙度降低
调整期,预计二季度市场将会回暖。整体而言,由于2017年的超预期增长,行业对2018年的发展依然看好。在此情况下,光伏龙头企业纷纷扩产,多晶硅、硅片、组件等各环节都在2018年有较大的产能释放。此外
2017年我国硅片总产量仅为87.6GW,其中单晶硅片产量约为28GW。此外在多晶硅、组件等环节也有类似的产能扩张。2018年将是光伏产能集中释放的一年,一旦市场需求跟不上,那行业将面临产能过剩的风险
愈发白热化、公开化。 2017年10月27日,A股光伏产业单晶阵营的带头大哥隆基股份宣布,其所生产的单晶硅片调降0.4元/片,190um单晶硅片由6.15元/片降到5.75元/片,180um单晶硅
研究团队和完整的光伏制造产业链,强大的产业化技术水平和产业规模化效应推动我国太阳电池效率持续提升, 光伏组件成本不断下降。十三五期间,我国晶体硅太阳电池继续保持每年0.3 个百分点的绝对效率提升,单晶及
,光伏产业以金刚线切割为代表的新工艺和新技术得到大规模应用,从多晶硅生产到电池制造全产业链生产成本持续下降,光伏组件生产成本从2015 年的3 元/W 降至2017 年的2 元/W。
光伏组件价格的大幅
多晶硅太阳电池问世,效率达5% 1962年砷化镓太阳电池光电转换效率达13% 1973年 砷化镓太阳电池效率达15% ... ... 2018年单晶钝化发射极后接触(PERC) 太阳电池效率