工作人员表示:公司去年年报和今年一季报都是通过非经常性损益获得扭亏的,后面公司暂时没有处置资产的计划。 另外,根据刚刚披露的中报显示,天龙光电募投项目之一的年产1200台单晶硅生长炉项目截至报告期
到,晶盛机电作为光伏装备的领头羊,今年在单晶硅生长炉、区熔硅生长炉等装备上不断获得订单,遥遥领先与同行水平,近日在高效多晶硅铸锭技术研发方面晶盛机电又取得了重大突破,使多晶硅电池片的转换效率有了显著提升。该
贝尔实验室。又逾四年,其初用于太空也。
时单晶生长技术终日为产能与成本所累,直拉单晶炉技术瓶颈之突破亦举步维艰也。为辟蹊径,基于浇铸工艺与定向凝固工艺之多晶铸锭应运而生,然限于位错密度及除杂之困
后世之用亦殊深。其地位乃未来能源与环境之砥柱也。
公元1893年,光生伏特效应即为法兰西贝克雷尔所察。至公元1950年,凭硅之光伏效应,拉晶技术始用于单晶加造工业。其后四年,单晶硅太阳能电池诞于
实验室。又逾四年,其初用于太空也。时单晶生长技术终日为产能与成本所累,直拉单晶炉技术瓶颈之突破亦举步维艰也。为辟蹊径,基于浇铸工艺与定向凝固工艺之多晶铸锭应运而生,然限于位错密度及除杂之困,多晶电池之
,於后世之用亦殊深。其地位乃未来能源与环境之砥柱也。公元1893年,光生伏特效应即为法兰西贝克雷尔所察。至公元1950年,凭硅之光伏效应,拉晶技术始用于单晶加造工业。其后四年,单晶硅太阳能电池诞于贝尔
于硅单晶的生长,这种拉晶技术已经成为现代生产高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池,4年后首次在太空应用。
然而
在那个年代,以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限,单晶电池成本居高不下,人们想尽一切办法扩大晶体产量,最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间,在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下,开始尝试浇铸工艺和定向
高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池,4年后首次在太空应用。然而在那个年代,以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限,单晶电池
成本居高不下,人们想尽一切办法扩大晶体产量,最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间,在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下,开始尝试浇铸工艺和定向凝固工艺制造晶体硅,多晶铸锭应运而生,然而它的晶体结构始终是无数
高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池,4年后首次在太空应用。然而在那个年代,以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限,单晶电池
成本居高不下,人们想尽一切办法扩大晶体产量,最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间,在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下,开始尝试浇铸工艺和定向凝固工艺制造晶体硅,多晶铸锭应运而生,然而它的晶体结构始终是无数
,其中单晶生长炉销售81台同比下降69.32%;多晶铸锭炉销售13台同比下降68.29%。销量下降导致收入下降65.17%,在费用相对刚性的情况下,净利润同比下滑75%。报告期内公司深化与重点客户合作,对
材料 2.1单晶硅生长炉 生产单晶硅主要有Cz法和浮游带区(Fz)法。图1是Cz单晶硅炉的结构示意图,在氩气保护下,将多晶硅加热到1500℃左右,使其熔融:由炉上部旋转垂放晶籽(种)拉线
能直接转换成电能的一种器件。3.2单晶硅太阳电池以单晶硅为基体材料的太阳电池。3.3多晶硅太阳电池以多晶硅为基体材料的太阳电池。3.4铸锭工序按照硅锭性能要求将硅料装进坩埚内,通过铸锭炉将硅料进行熔化