晶硅生长炉
多晶硅就停止，从多晶硅到真正的太阳能电池还需要透过长晶炉生成晶棒，再切割成晶圆或芯片，这些过程都需要危险的化学物质来处理，例如制造商需要用氢氟酸（hydrofluoric acid）来清洗晶圆，除去因锯切
Laboratory）正寻找以乙醇代替氯基化合物的方法，以避免产生四氯化矽。锯切打磨清洗，需强腐蚀性物质帮忙但污染并非只到多晶硅就停止，从多晶硅到真正的太阳能电池还需要透过长晶炉生成晶棒，再切割成晶圆或
前沿技术探索等领域，通过技术引进、消化、吸收再创新的方法，开创出大尺寸多晶硅铸锭炉技术，在原有GT铸锭炉经过热场模拟和改造升级，实现单炉铸造800KG多晶硅锭的目标；自主开发出的可控行核机理及推广应用
技术研发团队，着手成立国家光伏工程技术研究中心。团队研究涉及光伏硅料、硅片、电池、组件、应用及前沿技术探索等领域，通过技术引进、消化、吸收再创新的方法，开创出大尺寸多晶硅铸锭炉技术，在原有GT铸锭炉
月26日 15:00-22:00
展出内容（展品属类）：
A、光伏生产设备：
硅棒硅块硅锭生产设备：全套生产线、铸锭炉、坩埚、生长炉、其他相关设备
机、其他炉设备、测试仪和分选机、其他相关设备
电池板/组件生产设备： 全套生产线、测试设备、玻璃清洗设备、结线/焊接设备、层压设备等薄膜电池板生产设备： 非晶硅电池、铜
区别是：①单晶对硅料的品质要求高于多晶，品质稍差的硅料就无法生产出单晶硅。②单晶硅棒是在单晶炉中使用直拉工艺生长而成的单一晶向的晶体结构，晶体长程有序;多晶铸锭是在铸锭炉中使用定向凝固工艺生长而成的
份额对比数据 单晶VS多晶 一、材料性能对比 单多晶的晶体生长工艺不同，单晶硅的晶面取向相同、无晶界，品质优异，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多，导致单晶硅片与多晶硅
数据单晶VS多晶一、材料性能对比单多晶的晶体生长工艺不同，单晶硅的晶面取向相同、无晶界，品质优异，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多，导致单晶硅片与多晶硅片在晶体品质、电学性能
公布的单多晶份额对比数据 【单晶VS多晶】 一、 材料性能对比 单多晶的晶体生长工艺不同，单晶硅的晶面取向相同、无晶界，品质优异，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多，导致
方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。
硅烷流化床新技术项目完成了全球最大规模的万吨级硅烷制备装置，已建成投产的3000公吨/年流化床为目前全球最大的单台流化床
，保利协鑫采用多晶铸锭装备生长整锭单晶的转换率已经达到19.6%。
保利协鑫申报发明、实用新型专利200余项，其中授权专利超过150多项，涉及多晶硅生产方法、单晶硅生长设备、硅片切割工艺
