晶硅片

补偿，以保证硅片厚度均匀。 b.切割前未设好零点。正确设置零点的方法是（以HCT机床为例）：将晶棒装载入机床后，手动降工作台使四条晶棒的导向条刚刚接触线网并点击触摸屏主界面设零点按钮，然后慢速

％，新产品不仅有效解决多晶硅片黑边问题，更重要的是抗光衰性能显著提升，这是保利协鑫最新技术平台的首次发力。据保利协鑫光伏长晶事业部副总裁游达介绍，鑫多晶S4采用了全新的多晶技术平台：GCL新高效工艺
OFweek太阳能光伏网 4月28日下午，保利协鑫能源控股有限公司在上海SNEC2015光伏展召开新品发布会，重磅推出第四代高效多晶硅片产品鑫多晶S4。据悉，鑫多晶S4试用平均转换效率达到18.33

王 惠 杨伟强 译 晶澳太阳能有限公司 本文研究的是在丝网印刷中铝背场中硅的横向拓展，在合适的工业温度范围内，铝层的增长速度为（1.500.06）m/℃。这样的话，硅片中铝扩散的最大极限速度
就可以预测，而且不被接触面积的大小限制只会受温度的影响。所以，背场的形状不仅影响了串联电阻的损失，而且会影响硅铝接触形成的过程，另外，快速冷却会导致柯肯特尔空洞而不是产生共晶层。 太阳能电池的背钝化

朱战军先生、长晶事业部副总裁游达博士出席了此次技术战略合作框架协议的签约仪式。 非常高兴中利腾晖与保利协鑫确立互为战略合作伙伴关系，中利腾晖执行总裁章灵军先生评论道。中利腾晖作为中国光伏专业制造商
，在晶硅电池、组件研发方面有着领先的技术优势。此次与保利协鑫的合作将双方优势得到最大效应的发挥，必将是一次双赢的合作。 保利协鑫将与中利腾晖在高效率低衰减P型及N型硅片、电池、组件研发等方面展开

本文研究的是在丝网印刷中铝背场中硅的横向拓展，在合适的工业温度范围内，铝层的增长速度为（1.500.06）m/℃。这样的话，硅片中铝扩散的最大极限速度就可以预测，而且不被接触面积的大小限制只会
受温度的影响。所以，背场的形状不仅影响了串联电阻的损失，而且会影响硅铝接触形成的过程，另外，快速冷却会导致柯肯特尔空洞而不是产生共晶层。太阳能电池的背钝化技术有效地提高了电池的效率，但是在丝网印刷中对铝粉

硅片与电池片解决方案颇受业界好评，可看出奇元裕成功地从客户角度出发，并透过与欧美日等原厂紧密的合作，持续提供创新且最佳成本效益的服务及技术。像是扩散炉管及PECVD领导设备商TEMPRESS，其N型
的控制技术，在高效电池扮演着重要的角色；AB接着胶/高精度接着蜡/清洗剂的领导厂商NIKKA SEIKO，其产品更早已广泛地运用在光伏，半导体、及蓝宝石晶柱切片/晶圆表面研磨抛光的工艺应用。 奇

总裁朱战军先生、长晶事业部副总裁游达博士出席了此次技术战略合作框架协议的签约仪式。非常高兴中利腾晖与保利协鑫确立互为战略合作伙伴关系，中利腾晖执行总裁章灵军先生评论道。中利腾晖作为中国光伏专业制造商
，在晶硅电池、组件研发方面有着领先的技术优势。此次与保利协鑫的合作将双方优势得到最大效应的发挥，必将是一次双赢的合作。保利协鑫将与中利腾晖在高效率低衰减P型及N型硅片、电池、组件研发等方面展开合作

，建立足够的团队战力，帮助奇元裕的客户得到顶尖科技，并以最佳生产成本、效率，产出最高质量的产品而能成功驰骋于国际市场，提升客户在国际市场上的竞争力。奇元裕于甫结束的SNEC 2015展出高效硅片与电池片
，在高效电池扮演着重要的角色；AB接着胶、高精度接着蜡、清洗剂的领导厂商NIKKA SEIKO，其产品更早已广泛地运用在光伏，半导体及蓝宝石晶柱切片、晶圆表面研磨抛光的工艺应用。奇元裕拥有完整的技术应用

在4月28日SNEC全球光伏科学家大会上，保利协鑫美国研发中心主任Massoud Javidi博士在阐述保利协鑫的技术规划时表示，多晶仍是未来大势所趋的光伏系统原料，持续性结晶科技等将为硅晶市场
源源不断的低成本硅片。而随着市场对硅片的要求持续增高，迫切需要为市场带来更具突破性的创新型能源，智能硅片可以解决这个问题。其是将不同多晶进行互质整合再结晶，能效更高。毫无疑问，硅材料和硅片，连续直拉