晶硅叠层

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硅基薄膜电池Vs晶硅电池的五大优势来源:世纪新能源网 发布时间:2012-12-11 23:59:59

发出5~17%的电量。、同时设计较传统非晶硅单接电池大大提高了光电转化效率,目前国际上可以达到10%左右。共创光伏利用自主知识产权研制的新一代非晶/微晶硅薄膜太阳能电池的光电转化效率已经可以

太阳能光伏产业突围要靠光伏高效电池来源: 发布时间:2012-11-29 09:48:59

Green)教授认为第三代太阳电池必须具有如下几个条件:薄膜化,转换效率高,原料丰富且无毒。目前第三代太阳电池还在进行概念和简单的试验研究。已经提出的第三代太阳电池主要有太阳电池、多带隙太阳电池和热
技术指标。转化效率的提高依赖工艺的改进、材料的改进及电池结构的改进。目前普通的太阳能电池产业化水平转换效率:单晶15%~17%、多晶12%~15%,非晶硅薄膜8%~9%。高效电池是指电池产业化水平

光伏产业突围要靠高效电池来源: 发布时间:2012-11-28 10:31:41

且无毒。目前第三代太阳电池还在进行概念和简单的试验研究。已经提出的第三代太阳电池主要有太阳电池、多带隙太阳电池和热载流子太阳电池等。通俗的来说,叠层电池是用多个单结电池吸收不同波段的光能;热载流子
为电能的重要技术指标。转化效率的提高依赖工艺的改进、材料的改进及电池结构的改进。目前普通的太阳能电池产业化水平转换效率:单晶15%~17%、多晶12%~15%,非晶硅薄膜8%~9%。高效电池是指

光伏市场的当前走势将使薄膜硅技术受益匪浅来源:欧瑞康 发布时间:2012-11-16 09:19:35

在过去的四年里,欧瑞康太阳能持续大量投资于科研开发,已投入1.5亿欧元的研发资金用于进一步提高非微晶(Micromorph)技术以保持其领先优势。欧瑞康太阳能的工程师们借此将电池组件的
/Wp,为该行业的组件生产成本创造了全球最低的新标准,同时这种薄膜硅技术和其它光伏技术相比有明显的环保优势。这种先进性得益于各种创新技术,例如用于非晶和微晶硅吸收层最优化的等离子体增强化学气相沉积技术

第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会议程来源:上海市太阳能学会 发布时间:2012-11-13 08:50:22

晶硅薄膜太阳电池-上海空间电源研究所 蒋 帅 10、柔性衬底硅基薄膜太阳电池研究-----------------上海空间电源研究所 刘 成 11、金属诱导多晶硅薄膜的形成和太阳能电池制作

天威薄膜光伏组件获美国“三角洲”BIPV建筑设计奖来源:世纪新能源网 发布时间:2012-11-11 23:59:59

创新,推出的薄膜硅光伏产品已量产,在保持原有非晶硅薄膜良好的高温和弱光性能的基础上,增加微晶硅薄膜层,能够有效拓宽对太阳光谱的吸收范围,提升光伏组件的光吸收能力,每片光伏电池功率提升30W,转换效率提升至9.3%以上,达到世界领先水平。

天威光伏产业着力科技创新 加强市场开拓 狠抓降本增效取得阶段性成果来源:世纪新能源网 发布时间:2012-11-11 23:59:59

攻坚计划,优化了生产线并改进了生产工艺,使设备和原材料国产化率实现了稳步提高,截至目前已降本增效6000多万元;新能源(扬州)公司采取实施新工艺、原材料国产化、提升生产效率等措施努力降本增效,其中
明显,以光伏电站建设为龙头,带动了硅片、电池和组件整体产业发展,均衡了产业链整体获利能力,提高了产业整体抗风险能力。薄膜电池与晶硅电池相比具有的温度系数好、透光性能好、弱光发电性强和成本相对较低四大优点

2012中国光伏产业标准发展论坛——(第三单元)来源: 发布时间:2012-11-09 03:08:59

不同的材料,不同的结构,不同的工艺,包括温湿度控制,材料控制,怎么等等。很多都是降低成本的考虑,那就有一个问题出现了。这么多新的背板能不能符合组件的测试要求。这是来自于阿特拉斯演讲的一张图,上面介绍
EL设备基本上能满足这个要求。同时在VDE质量测试标准中,加了EL判据,就是什么样的EL是可接受的,什么样EL是不可接受的,这里有一个清晰的描述。对于单晶硅来说,任何一片电池不能多于两片的裂缝,对于

2012中国光伏产业标准发展论坛——(第一单元)来源: 发布时间:2012-11-07 08:55:59

光伏组件部分,比如薄膜电池的测试,还有内薄膜电池的测试。还有晶硅电池,还有多节连接的电池,相关标准是非常特别,非常特定的工艺。中国SEMI光伏委员会我们明天来开会,明天我们会有很多内容需要讨论和

前瞻晶体硅太阳能电池未来产业化——高效N型背结前接触和背结背接触晶体硅太阳能电池来源:中国科学院微电子研究所太阳能电池研究中心 发布时间:2012-11-05 17:35:02

表面的掺杂浓度达到10 19 cm -3,通过随后生长的介质膜钝化发射极表面降低复合。除此之外,丝网印刷用的Al浆料成分、厚度、质量等,还有随后的烧结条件都需要特别的优化和设计以确保N型背发射结的
晶硅钝化的Al掺杂的p型发射极的钝化特性。研究小组对高温烧结后,通过去除表面残余的Al浆料,然后去除Al-Si共晶层后的表面采用PECVD沉积20nm的非晶硅钝化,得到了490120 fA/cm2的