晶硅叠层太阳电池

比AMAT的非晶硅生产线低20%以上，比AMAT的叠层生产线低40%以上。 　　“First Solar为全球的薄膜生产商树立了一个良好的标杆，但它令人惊艳的指标却不是一般企业轻易能够企及的
生产线就被拉走，完全处于卖方市场!”杨立友欣慰异常。 　　硅材料供应危机引来薄膜电池投资热 　　事实上，早在上世纪70年代，非晶硅薄膜就被研制出来，但由于转换效率只有多晶硅的一半，一直未能得到普及。最近

Technologies公司将开发新的低成本多晶硅太阳电池结构和相关工艺，该技术通过光阱结构（light-trapping texturing）和沟槽的自我对准金属化手指来提高电池性能，改善光阱结构和电池内的电荷可提高

内硅薄膜太阳电池的产品技术将会有所突破。预计到2009年，采用“非晶硅+微晶硅”技术的叠层薄膜电池的光电转换效率将达到10%，而组件的成本将低于1美元/瓦。　　　企业投资力度迅速加大　　　基于近年对

目完成后，总生产能力将超过1000兆瓦，年产值将超过200亿元，年创税近40亿元。 据了解，泉州金太阳公司与拥有“非晶硅/微晶硅叠层太阳电池”关键技术的南开大学光电子薄膜器件与技术研究

，总生产能力将超过1000兆瓦，年产值将超过200亿元，年创税近40亿元。 据了解，泉州金太阳公司与拥有“非晶硅/微晶硅叠层太阳电池”关键技术的南开大学光电子薄膜器件与技术研究所2007年5月就

21.8 单结太阳电池InP太阳电池 4cm2 19.9 单结太阳电池GaInP/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge

薄膜太阳能电池更少的使用硅材料，成本低，便于大规模生产，而且近期在转换效率方面也有较大突破：最优技术下的第一、三叠层结构非晶硅太阳能电池转换效率达到了13%，缩小了与多晶硅电池在转换效率上的差距。因此，在硅材料

9.08mA／cm2。 3．5．4高效多元化合物叠层多结太阳电池 为了提高转换效率，将CdTe、CdS和CulnSe2用Zn、Hg、Mn和Ga等取代Cd、In制成CdHgTe、CdZnTe

光致衰退的效果。 形成异质叠层太阳电他的材料的带隙必须有恰当的匹配才可能获得最佳的效果。目前流行的非晶硅锗为基础的异质叠层太阳电池较好的匹配带隙分别为1。8eV、1。6eV、1。4eV。除了

大规模生产，而且近期在转换效率方面也有较大突破：最优技术下的第一、三叠层结构非晶硅太阳能电池转换效率达到了13％，缩小了与多晶硅电池在转换效率上的差距。因此，在硅材料价格持续上涨的背景下，非多晶硅