晶圆技术

成本。 香港小组以氢氟酸-硝酸银溶液或含有氧化剂的氢氟酸溶液(以银或其它金属为触媒)来刻蚀Si(100)的晶圆，不仅能快速制备出晶圆规模的硅纳米线，而且这种硅纳米线不需任何掺杂就具有良良好的
导电性。由于这些是半导体业界常用的方法，因此能将生产成比控制在合理的范围。 李述汤表示，利用金属催化刻蚀硅晶圆有许多优点，如它能以低成本刻蚀出大面积且排列方向一致的硅纳米线阵列，而且硅纳米

更强的功能、更小的体积、更低的成本驱动着半导体3D集成技术的广泛应用，其中穿透硅通孔（TSV）更是其中的热门方案。面向3D TSV技术的研发，AVIZA Technology公司日前推出了业内首套
Martinez表示，许多研究在进行，力争将TSV成本降到200美元/片的标准；CMOS图像传感器已经采用TSV技术进行量产，存储器也会在不远的将来。一旦达到目标成本，TSV技术的3D IC市场将会

供应协议。根据协议规定，REC将评估使用革命性PolyMax“无切痕”晶圆工艺技术生产的光电薄膜衬底样本。REC还将与SiGen合作开发并优化大量制造(HVM)设备并开发硅锭成型技术要求。协议还包括

得可正准备于9月1日至4日在瓦伦西亚举办的第 23届欧洲光伏太阳能展会上展出下一代的太阳能金属镀膜生产线。此丝网印刷专家将推出大批创新的太阳能技术，并在A10展台现场运行两条最先进的金属镀膜生产线
的精密专业技术建造，PVP1200可以在±12.5微米误差范围达到最大重复性和精确性的六西格玛制程能力。同时获益于得可在10,000级无尘室条件下内部制造的精密乳胶丝网的专业技能。 特殊性能包括可

太阳能硅晶圆端切晶耗材之一的碳化硅(Silicon Carbide)供货持续吃紧，价格从2007年中每公斤约新台币100元（约合人民币25元），逐步上扬至目前约每公斤150~200元，由于
中国内地为碳化硅最大产地，但中国已明定碳化硅为限额出口产品，太阳能硅晶圆业者预期2009年碳化硅持续缺货机率高. 太阳能硅晶圆业者表示，包括日本、台湾等地太阳能硅晶圆切晶厂，都面临相关耗材碳化硅短缺

两年前就有行业分析师预计，印度电子产品制造的增长速度将是全球增长速度的5倍。如今，具备人才、技术和资金的印度厂商将首先在太阳能电池领域发力，雄心勃勃的“印度象”要成为全球太阳能电池产业的主要参与者
人才、技术、资金，并且具备“速度”的印度不久之后将成为世界太阳能电池领域的新生力军。 印度SolarSemiconductor(太阳能半导体)的创始人苏拉帕尼称：“现在，机会不在美国，而在印度。”过去流向

出第1片太阳能电池之后，在6月25日正式启用，产能正在加温中。 燿华电子协理廖志明指出，燿华电子太阳能电池生产线由目前德国Centrotherm工程技术人员10人驻厂以Turn Key方式生产3个月
矽晶圆供应商MEMC共同宣布签署一分为期10年的太阳能级矽晶圆供货合约，合约总金额超过新台币1000亿元；同时，MEMC将投资太极能源科技10%股权，预计在2008年底完成投资的投入。太极能源科技董事长

今年6月6日产出第1片太阳能电池之后，在6月25日正式启用，产能正在加温中。 ?华电子协理廖志明指出，?华电子太阳能电池生产线由目前德国Centrotherm工程技术人员10人驻厂以Turn Key方式
10日与美国矽晶圆供应商MEMC共同宣布签署一分为期10年的太阳能级矽晶圆供货合约，合约总金额超过新台币1000亿元；同时，MEMC将投资太极能源科技10%股权，预计在2008年底完成投资的投入。太极

比利时纳米科技研究中心IMEC于2008年7月美国旧金山举办的“Semicon West 2008”展览中，发表太阳电池用厚度50μm的结晶硅晶圆制造方法。其中最大的特点在于，切割硅碇的技术
的不同，是利用硅与金属间的热膨胀差异来剥取硅箔，有别于以往用钢丝锯（线锯的一种）的方法，因此不会有因切割而造成的不必要的浪费。IMEC表示，这种技术可大大降低结晶硅太阳电池的制造成

两年前就有行业分析师预计，印度电子产品制造的增长速度将是全球增长速度的5倍。如今，具备人才、技术和资金的印度厂商将首先在太阳能电池领域发力，雄心勃勃的“印度象”要成为全球太阳能电池产业的主要
规模。拥有人才、技术、资金，并且具备“速度”的印度不久之后将成为世界太阳能电池领域的新生力军。 印度SolarSemiconductor(太阳能半导体)的创始人苏拉帕尼称：“现在，机会不在美国