的原子层淀积在寻求尺寸缩小的晶体管中实现低栅极漏电流所必需的高-k介质过程中,过去对AL2O3做了广泛的研究。尽管在Si-AL2O3界面处的界面陷阱密度低,但由于其对MOS器件阈值电压的影响,此材料
中存在的高负电荷对尺寸缩小的晶体管来说是一个问题。可是,在光伏器件中使用却非常有意思,此时,负电荷在p-型衬底中引起了高积累表面,或在n-型衬底中引起了高反转面。结果,在n-型及p型衬底上测出的表面复合
索比光伏网讯:从简单的二极管起步实现实用化 碳化硅功率元器件的开发在分为二极管和晶体管2个阶段进行。二极管的结构较为简单,易于制造。首先公布产品的是德国英飞凌科技公司
)。 表1 从事碳化硅功率元件或功率元件碳化硅基板业务的主要企业 另一方面,晶体管仍
金属活芯铅笔,这在当年可谓风靡一时。这就是现在的夏普公司名称及商标的由来。之后,夏普相继开发出日本首台矿石收音机、黑白电视机以及世界首台全晶体管电子计算器等产品,逐步发展成为生产家电产品、通信设备
将导致双方的经济两败俱伤。 根据务商务部有关2012年日本国别贸易投资环境报告,中国从日本进口的主要产品为集成电路、机动车辆零件、附件,机动车辆、液晶装置,二极管、晶体管及类似的半导体器件和半导体制造设备
南科学工业园区的客户包括一些知名半导体和薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)制造商。台湾联电是全球第二大硅片制造公司,亦是全球领先的300mm硅片制造商。
碳化硅MOSFET将是世界首批商用碳化硅MOSFET。因为有诸多优点,预计将会取代太阳能逆变器中的高压硅绝缘栅双极晶体管。 除了比IGBT降低50%的能耗外,碳化硅MOSFET无需特殊的驱动电路,且工作
光电微纳前沿技术及产业化为主要任务和目标,基于新型柔性透明导电膜的柔性有机发光(OLED)技术、柔性有机太阳能电池技术、印刷薄膜晶体管技术等研发方向,每年度开展2-3个研究课题,从而引领中国柔性光电技术
设备之一。REFUsol 020K-SCI 整个输出功率和输入电压范围的卓越效率首先要归功于以半导体碳化硅为基础的晶体管,其开关损耗低于那些通常用于电力电子中的硅晶体。此外,REFUsol 将无变压设备
、 一种电站系统,专利号:ZL 2011 2 0411163.03、 一种功率晶体管散热装置,专利号:ZL 2011 2 0182623.7
(工科男女都听说过场效应晶体管吧?),但将其应用在光伏电池中却是很新奇的想法。加州大学和伯克利实验室的研究者们遇到的主要障碍是:在这一方案中,半导体材料上方需要一层触点来产生电场,但很显然这层导体会挡住