晶体硅

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中国光伏产业对美国决定对华晶体硅光伏电池征收“双反”关税表示强烈反对来源: 发布时间:2012-11-07 23:59:59

图表:中国光伏产业对美国决定对华晶体硅光伏电池征收双反关税表示强烈反对。新华社记者 周咏缗 编制

前瞻晶体硅太阳能电池未来产业化——高效N型背结前接触和背结背接触晶体硅太阳能电池来源:中国科学院微电子研究所太阳能电池研究中心 发布时间:2012-11-05 17:35:02

关于征集《晶体硅太阳电池热斑耐久性能试验方法》标准起草单位的通知来源: 发布时间:2012-10-23 14:37:22

索比光伏网讯:各光伏企业、相关单位和专家:根据江苏省质量技术监督局苏质监【2012】204号文件,我中心负责《晶体硅太阳电池热斑

中国半导体材料业十年大跨越来源: 发布时间:2012-10-19 10:36:59

近期,SEMI机构公布了世界半导体材料销售市场的统计结果。从数据中看到,2011年全世界半导体材料市场的销售额达到478.6亿美元,

光伏企业捍卫权益倒计时来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2012-10-12 10:37:04

美终裁中国产晶体硅光伏电池存在倾销和补贴来源:新华网 发布时间:2012-10-10 23:59:59

记者 阳建、王宗凯 10月10日华盛顿美国商务部10日作出终裁,认定中国向美国出口的晶体硅光伏电池及组件存在倾销和补贴行为,这

【光伏技术】高效晶体硅电池技术-表面钝化来源: 发布时间:2012-09-07 13:18:38

索比光伏网讯:早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加对入射光的吸收,但该方法均需先单独采用热氧化方法生长一层10~20umSiO2使

【光伏技术】高效晶体硅电池技术-去边技术来源: 发布时间:2012-09-06 13:50:04

索比光伏网讯:产业化的周边PN结去除方式是等离子体干法刻蚀,该方法技术成熟、产量大,但存在过刻、钻刻及不均匀的现象,不仅影

【光伏技术】高效晶体硅电池技术-发射区扩散来源: 发布时间:2012-09-05 10:09:14

索比光伏网讯:PN结特性决定了太阳能电池的性能。传统工艺对太阳能电池表面均匀掺杂,且为了减少接触电阻、提高电池带负载能力表