晶体硅薄膜

a-SiTFT(非晶硅薄膜晶体管)产品目前增长乏力，因此未来的竞争主要集中在LTPS和氧化物的产品以及技术。另据记者了解，由于夏普4年前与鸿海集团达成协议，同意鸿海集团向夏普主体进行出资，但鸿海随后以

生明显的电性能衰减。1997年J.Schmidt等证实硼掺杂Cz晶体电池出现光致衰减是由于光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合中心，从而使少子寿命降低，引起电池转换效率下降。2006年
A.Herguth等人发现在一定的温度和光照条件下，可以使硼氧复合体形成复合活性较低的中间态，在一定程度上降低由硼氧复合体复合中心导致的光致衰减。而掺磷的N型晶体硅中硼含量极低，本质上消除了硼氧对的影响，所以

征层i-和p-及n-型非晶硅薄膜，形成n-型硅和非晶硅异质结结构（HIT）太阳电池。非晶硅（a-Si：H）材料的带宽在1.7eV左右，远大于晶体硅1.1eV的带宽，因此此种HIT电池结构对于电池表面
虽然晶硅光伏已经占据了光伏市场的绝大部分份额，但其即使研发并没有停滞下来。作为研发最新方向的高效晶体硅太阳能电池技术，目前基本已经有商业化的产品问世。下面我们就来盘点一下这几款已经商业化的高效晶体

%转变成电能的太阳辐射都通过其实现。晶体硅材料依然在太阳能光电池材料中占据主导地位，但是，最近几年在薄膜光电池技术上也有了很多突破。在2005年的时候，晶体硅在太阳能光电池市场占到95%以上的份额。但是
还是与晶体硅存在着距离，但是相比与晶体硅，薄膜太阳能电池在其他方面存在着巨大的优势。最重要的一点，就是薄膜太阳能电池的生产成本低。很多薄膜太阳能电池板都是由非晶硅制成的，而制备硅晶太阳能电池板时要使

%转变成电能的太阳辐射都通过其实现。 晶体硅材料依然在太阳能光电池材料中占据主导地位，但是，最近几年在薄膜光电池技术上也有了很多突破。在2005年的时候，晶体硅在太阳能光电池市场占到95%以上的份额。但是
转换效率还是与晶体硅存在着距离，但是相比与晶体硅，薄膜太阳能电池在其他方面存在着巨大的优势。最重要的一点，就是薄膜太阳能电池的生产成本低。很多薄膜太阳能电池板都是由非晶硅制成的，而制备硅晶太阳能电池板时

太阳辐射都通过其实现。晶体硅材料依然在太阳能光电池材料中占据主导地位，但是，最近几年在薄膜光电池技术上也有了很多突破。在2005年的时候，晶体硅在太阳能光电池市场占到95%以上的份额。但是从那个时候开始
商业化了，目前薄膜光电池产品的能量转换效率已经达到了6%到11%。能量转换效率越高，那么产生一定电量所需的面积以及其他辅助设备就越少，这是一件很划算的事情。就目前来说，薄膜太阳能电池的转换效率还是与晶体

索比光伏网讯:当前硅基太阳能电池实验室效率的世界纪录（25.6%）是由日本松下公司创造的，其器件结构是基于晶体硅/非晶硅薄膜的异质结形式（HIT电池）。HIT电池中充分利用了非晶硅薄膜对单晶硅表面
金字塔、纳米柱、纳米铅笔状表面光子晶体陷光结构，及它们在20m超薄单晶硅薄膜表面的陷光性能表征 图3 基于20m级超薄单晶硅薄膜的n-Si/PEDOT:PSS异质结杂化太阳能电池器件

大于等于5年，晶体硅在2年内、25年内衰退率要求分别小于等于2%和20%，非晶硅薄膜电池2年内、25年内衰退率要求分别小于等于4%和20%。重点支持的项目也由以往的主要针对政府机关、事业单位、偏远不通
晶体硅、非晶体硅薄膜的补贴额度分别调整至每瓦9元和8元。4、2009年4月，《海南省建设厅关于组织申报太阳能光电技术应用财税补助资金项目的通知》通知中对建筑实施财政补助，在2009年补助原则上定为20元

10MW。3、2011年，中国财政部、科技部、国家能源局联合颁布了《关于做好2011年金太阳示范工作的通知》，项目提出把晶体硅、非晶体硅薄膜的补贴额度分别调整至每瓦9元和8元。4、2009年4月
公司于2012年初投资1400万欧元建设全球首家有机光伏组件生产线，有可能打开建筑玻璃和建筑表面用材市场，生产线计划6个月建成，并于当年完成2-3MW，转换率可达到9.8%。在非晶硅薄膜电池方面