晶体硅片

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中国光伏发展地域“歧视”指南:南多北单 三极引领势已成!来源:能源新闻网 发布时间:2018-08-14 11:27:38

综合发展的集团化企业,主导产品包括单晶硅生长炉、多晶硅铸锭炉、区熔炉等光伏及半导体设备,多晶硅锭及硅片、直拉单晶硅棒及硅片、区熔单晶硅棒及硅片等光伏产品,光伏发电和风力发电等新能源发电项目及蜂窝式中低

刘勇告别中来股份成立一道新能源 1GW高效电池产能获乐叶投资来源:光伏們 发布时间:2018-08-14 11:26:11

扬州电池生产和研发基地、东海硅片和研发基地、合肥硅片-电池-组件一体化基地。 有消息报道,早在今年6月28日,刘勇就曾以一道新能源科技(衢州)有限公司(以下简称一道新能源)董事长的身份参加了由衢州市
,显示该公司成立于2018年8月8日,注册资本1.3亿元人民币,经营高效太阳能晶体硅电池及组件的研发、生产及销售;光伏应用系统及相关产品的研发、制造、销售及技术服务等业务。刘勇持股55%,疑似实际控制

逆势上市涨停 这两家光伏企业有何秘诀?来源:OFweek太阳能光伏 发布时间:2018-08-14 10:29:57

多晶硅料生产设备、硅片加工设备、晶体硅电池生产设备等。公司系国内领先的晶体硅太阳能电池生产设备制造商,主营PECVD设备、扩散炉、制绒设备、刻蚀设备、清洗设备、自动化配套设备等太阳能电池片生产工艺
资本市场看好也不足为怪。 而芯能科技主营业务主要是分布式光伏开发及服务光伏产品以及光伏发电,包含屋顶资源开发、组件及配件产品、硅片等业务。其核心业务是开发分布式光伏电站,数据显示,截止2017年底

西安分布式补贴政策利好 438.8个亿用于2018光伏重点项目投资、多晶硅等技术突破被列入省级战略规划!来源:光伏头条 发布时间:2018-08-14 09:44:59

力度进一步加大。 从市级重点项目建设规划中来看,以西安、渭南、咸阳三个地区为代表,其光伏重点项目投资分别为213.6亿、53.1亿、15亿,涉及到硅片、光伏电池组件、薄膜太阳能、光伏支架、光伏玻璃等
: 着重突破晶体硅加工设备技术、检测设备与多晶硅制备关键设备技术,开发太阳能光伏电池的生产制造新工艺和新装备;重点突破分布式光伏发电和大型光热发电成套设备生产技术和集成技术;推进光伏建筑一体化应用等等

P型PERC双面组件简介与发电增益实例简析来源:计鹏新能源 发布时间:2018-08-13 09:21:00

来源:计鹏新能源 作者:胡晨辉 双面电池:通俗地讲,两面受光均可发电的晶体硅太阳电池就是双面晶体硅太阳能电池 双面组件:采用不同于常规组件制备技术将双面电池封装而成的组件。 双面电池可采用N型
和P型晶体硅材料制成,包括N型PERT电池、HJT电池、IBC电池,以及P型PERC双面电池等。 PERC技术(钝化发射极与背面的电池技术)由新南威尔士的马丁格林教授团队发明,1999年使用P型

<技术篇>HIT技术金属化发展研究来源:贺利氏可再生能源 发布时间:2018-08-04 15:39:30

,SJT等),通常以n型晶体硅作衬底,宽带隙的非晶硅作发射极,典型结构如上图所示。该电池具有双面对称结构,n型硅衬底两侧两层薄本征非晶硅层,正面一层P型非晶硅发射极层,背面一层n型非晶硅膜背表面场;在两侧
。 高效率 HIT电池独特的非掺杂(本征)氢化非晶硅薄层异质结结构,改善了对硅片表面的钝化效果,大降低了表面复合损失,提高了电池效率。据报道,Panasonic研发出的HIT电池实验室效率已达到25.6

隆基股份完成CCZ高效单晶技术布局 与爱旭达成战略合作来源:智汇光伏 发布时间:2018-08-03 15:08:43

效率提升20%以上,综合生产成本降低10%以上。 通过CCZ技术生产出来的产品轴向电阻率、氧含量都是均匀的,更加适用于P型PERC电池工艺及更加高效的N型电池工艺,并且是掺镓P型硅片最有效的拉晶技术
。 4月10日,保利协鑫曾发布公告,计划投资90亿元在云南省曲靖当地兴建单晶拉棒项目,设计产能为20GW,使用的正是CCZ技术。 除了协鑫,单晶硅片龙头隆基也对CCZ技术持续投入研究,并已具备量产

逆势碾压——铸造单晶的崛起来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2018-08-02 10:00:37

0.515元/片; 建议:铸锭用硅料与多晶硅料厂合作,专门生产铸锭用多晶硅料,通过降低硅料制造成本而享受低价硅料(用料成本下降5-10元/Kg) 三、铸造单晶的加工成本(非硅成本) 多晶硅片的制造过程
较为复杂(较多主辅料),在市场需求大幅度萎缩的情况下,各供应链积极配合主环节的降本作用,多晶铸锭成本降低至19元/Kg,而单晶拉晶成本降低至45元/kg。同时铸造单晶保持晶体的完整性和较好的排杂性能

双面光伏组件介绍及其应用前景分析来源:太阳能杂志 发布时间:2018-08-02 09:52:31

间衬底为n 型晶体硅,经过清洗制绒的n 型c-Si 正面依次沉积厚度为5~10 nm 的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)、p 型非晶硅薄膜(p-a-Si:H),从而形成p-n 异质结。在硅片背表面
年代,基于p+pn+ 或p+nn+ 结构的双面受光晶体硅太阳电池的结构被正式提出。 1994 年Moehlecke 等在第一届世界光伏会议上介绍了基于p+nn+ 结构的双面太阳电池,该电池的正面

表面钝化技术路线多样 谁主沉浮?来源:摩尔光伏 发布时间:2018-08-02 09:45:02

摘要:随着晶体硅太阳电池技术的不断发展,硅片的厚度不断降低,电池表面钝化对提高太阳能电池转化效率变得尤为重要。本文介绍了表面钝化膜在晶体硅太阳电池中的应用,以及几种晶体硅电池表面钝化方法,包括