表的III族和V族元素的化合物晶体制作,由不同的半导体材料按禁带宽度由低到高顺序堆砌而成的。这样做不仅是减少了光子吸收过程中的热损失,因不同能量的光子对应不同半导体带宽的材料吸收,更重要的是,跟单结结
构相比,在透射损失减少的同时,光子吸收范围也大大增加。同时,III-V族材料是直接带半导体,光子吸收效率很高,可以把材料做得非常薄。对比硅材料,硅是间接半导体材料,吸收光子的能力比较低,硅片通常要作的
%。
与其他光伏技术相比,聚光技术的高效率可以这样来解释。
首先,聚光芯片是元素周期表的III族和V族元素的化合物晶体制作,由不同的半导体材料按禁带宽度由低到高顺序堆砌而成的。这样做不仅是减少了光子
,可以把材料做得非常薄。对比硅材料,硅是间接半导体材料,吸收光子的能力比较低,硅片通常要作的比较厚。
具体来说,广泛使用的III-V族聚光芯片结构,是晶格匹配的GaInP/InGaAs/Ge
,ink"光伏发电技术不断发展,电池种类众多,性能各异。商用的太阳电池主要有以下几种类型:单晶硅电池、多晶硅电池、非晶硅电池、碲化镉电池、铜铟镓硒电池等。图1-1 太阳能电池分类图1.1晶体
硅太阳电池晶体硅太阳电池包括单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池、带状硅太阳电池、球状多晶硅太阳电池等,其中单晶硅和多晶硅电池是目前市场上的主流产品。单晶硅太阳电池以高纯的单晶硅棒为原料,是当前开发很快的一种
索比光伏网讯:日前,欧盟应欧洲光伏制造商联盟的申请,对中国生产的晶体硅光伏组件及关键零部件进行反倾销和反补贴期中复审立案调查。东莞光伏业分析人士认为,经过前几次双反风波,东莞目前出口欧盟的企业并不多
,更多是在做国内市场,受到的影响不大。目前,东莞只有南玻光伏参加了价格承诺,但南玻主要市场份额在国内。此外,今年新增广东光伏电站建设规模的政策,东莞多晶硅材料、硅片、电池片、组件等产业的发展还将迎来发展机遇。 原标题:光伏再遇双反 莞企不受影响
产业,2009(5):27-30.
铁生年,李星,李昀瑶.太阳能硅材料的发展现状.青海大学学报,2009,27(1):33-38.
蒋健纯,周九宁,浦保健,黄伯云. 炭/炭复合材料制造硅晶体
。
目前在硅材料的生产制造过程中大量使用石墨制品。其中,石墨制品在直拉单晶硅工艺中应用尤为典型。据不完全统计,我国现有工作状态的单品炉超过2000台左右。其中直拉单晶炉用以生产硅半导体器件所需的
是中国的光伏电池。可以说,以光伏为代表的中国新能源产业在国际舞台上拥有举足轻重的话语权。光伏产业是我国为数不多的具有国际竞争优势的战略性新兴产业。国光伏电池产量占全球市场份额的70%,晶体硅光伏电池
转换效率达到20%,处于世界领先水平,已经形成了包括硅材料、光伏电池、逆变器等较为完整的制造体系。
近两年,在全球光伏市场需求增速减缓、国际贸易保护主义抬头、光伏产业发展不协调等多重因素作用下
五一刚过,欧盟就给中国光伏业送来关心。日前,欧盟应欧洲光伏制造商联盟(EU ProSun)的申请,对中国生产的晶体硅光伏组件及关键零部件进行反倾销和反补贴(即双反)期中复审立案调查。EU
原产于中国的晶体硅光伏组件及关键零部件进行反倾销和反补贴期中复审立案调查。此次调查的涉案产品在欧盟合并关税编码ex85414090下。
根据欧盟反倾销法,反倾销行政复审包含期中复审、期满复审和新出
片 钢线 砂浆
1 引言
切片工序是制备太阳能硅片的一道重要工序,太阳能硅片的切割原理是转动的钢线上携带着大量碳化硅颗粒,同时工作台位置缓慢下降,由于碳化硅的硬度大于多晶硅(晶体硅的莫氏硬度
进行分析,可以更好地减少薄厚片的产生,提高产品的成品合格率。
【参考文献】
刘玉玲,刑进.单晶硅衬底材料线切割生产工艺技术的分析研究.深圳:第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
,多晶硅技术厂商一直致力于生产材料改进,主要贡献为高效硅片制造技术和高方阻银浆制造技术。目前量产的高效多晶硅电池平均转换效率约为18%,已经非常接近实验室水平。不过,由于多晶硅材料晶体缺陷的限制
先生正在进行演讲 保利协鑫能源控股有限公司副总裁吕锦标先生以《晶体硅材料产业技术与市场趋势 》为主题介绍了全球多晶硅产业的发展情况及其对光伏行业影响。演讲围绕全球多晶硅产业发展新特点、中国多晶硅及