微硅晶薄膜
微晶硅太阳能电池生产线。微晶硅制程是透过气相沈积，利用薄膜材质为基础，以高压方式改变非硅晶材料的结构，使其具有类传统硅晶材料太阳能电池结构的技术，结合薄膜与硅晶两大新旧产品的优势。 旭能成
涉及以下几个方面：非晶硅光致退化机理和稳定性改进；薄膜多晶硅低温成核及晶化机理；微晶硅生长机制、结构控制及电性能调制；特定光伏薄膜材料，特别是纳米技术微结构与光伏性能及制备新技术的研究，拓宽光谱响应的
(dual junction) 非晶/微晶硅薄膜太阳能电池，而非仅局限在传统单藕合(single junction) 非晶硅薄膜太阳能电池。
太阳能电池厂益通与光宝、设备大厂汉民系统、石化电子神通集团及创投基金切入薄膜太阳能电池公司“宇通光能”，此为益通继并购上游硅晶圆厂Adema、主导下游模块厂生耀后，再次扩张太阳能的版图，益通总经理蔡
左右的硅原材料层。夏普表示，这样的厚度大约是传统多晶硅太阳能电池的百分之一，降低了消费者的总体成本。夏普声称，已开发出了一种堆叠式三结薄膜太阳能电池，可实现大量生产。这种三结结构把两个非晶硅层和一个微
三菱重工业日前宣布，2007年4月开始量产供应通过结合使用非晶硅和微晶硅提高功率的“微晶串联太阳能电池”。为了量产微晶串联太阳能电池，将投资约100亿日元，在其长崎造船所誎早工厂里建设一家年产
温度处于500～600℃，则不能采用廉价的普通玻璃而必须使用昂贵的石英作衬底。
LPCVD法生长的多晶硅薄膜，晶粒具有择优取向，形貌呈“V”字形，内含高密度的微挛晶缺陷，且晶粒尺寸小
)
所谓固相晶化，是指非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。这是一种间接生成多晶硅的方法，先以硅烷气体作为原材料，用LPCVD方法在550℃左右沉积a-Si:H薄膜，然后将薄膜在600℃以上的
聚光器(光电池)17202530
非晶硅(包括叠层电池)5～67～91014
CuInSe\-2-8～101214
CdTe-8～101214
低成本基片硅薄膜-8～101215
/5.002.00/3.331.20/2.000.75/1.25
薄膜硅2.00/3.331.20/2.000.75/1.25
CIS 2.00/3.331.20/2.000.75/1.25
较致密的多晶硅薄膜。但由于作为籽晶层的微晶层中晶粒较小，其上生长的多晶硅薄膜中的晶粒也不大，影响了电池的效率，目前我们正在研制ＺＭＰ设备，以增大晶粒尽寸。 采用ＣＶＤ法必须有再结晶步聚，而
速率大于10m／s。 用等离子体喷涂沉积多晶硅薄膜太阳电池，全部采用低温等离子CVD工艺。用碱或酸溶液腐蚀沉积的多晶硅层，在其上于200℃用等离子CVD形成厚度约20010-8cm的微晶硅作为
插入污掺杂层以克服界面壁垒。（3）p层材料采用宽带隙高电导的微晶薄膜，如μc-sic，可以减少P层的光吸收损失；减少电他的串联电阻。（4）为减少p／i界面缺陷，减少二极管质量因子，在p/i界面插入C含量
