异质结电池片项目
多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展。光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件
达到19.5%和17.95%，统计50家企业平均产能利用率达85%，13家纯电池片企业纯利润率5%。光伏企业的发展不仅得益于政府的支持，更得益于行业成本的下降。国家发改委能源研究所研究员时璟丽表示，我国
成本已降至9万元/吨，行业平均综合电耗已降至100kWh/kg，硅烷法流化床法等产业化进程加快。单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触(PERC)、异质结
产能利用率达到94%，26家企业平均产能利用率7.6%。电池发展方面，单晶及多晶电池产业化效率分别达到19.5%和17.95%，统计50家企业平均产能利用率达85%，13家纯电池片企业纯利润率5
索比光伏网讯:2015年台湾电池片达到10GW产能和20%增长率，在该地区太阳能产业占比达60%，但由于过去一年台湾电池片厂商因成本等因素，在激烈的竞争中处于不稳定地位，导致利润受到影响（如表1
的主流光伏制造商加大了对高效电池的研发与投入，并各自取得不同程度的突破。高效电池研发，将以组件量产定胜负随着背接触（BC）、异质结（HIT）、双面（BC）等电池新结构的开发及激光、离子注入、双面钝化等
流化床法等产业化进程加快;单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触(PERC)、异质结(HIT)、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展;光伏组件封装及抗
，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。与此同时，我国近99%光伏产品采用晶硅技术，新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢，技术路线单一化程度偏高，产业后续发展
效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件生产成本降至2.8元/瓦
，电池片产量约为28GW，同比增长10%以上。1-10月，我国太阳能光伏电池出口额104.1亿美元，同比增长2.51%。2015年，中国光伏对传统欧洲市场的出口份额继续萎靡，而对亚洲、拉美等新兴市场的增幅则
）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件生产成本降至2.8元/瓦，光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6-0.9元/千瓦时
面，韩国、德国和美国占据了83%的份额。其中韩国以43%居首。2、太阳能电池2015年，硅片产量约为68亿片，电池片产量约为28GW，同比增长10%以上。1-10月，我国太阳能光伏电池出口额104.1
技术和硅异质结技术(HIT/HJT)技术将逐步取代如今的传统铝背场(BSF)技术成为主流。此外，背接触电池(backcontact)由于能够省去表面的栅线电极而吸收更多的阳光，应用前景同样广阔。我国电池片
7-8美元/Kg。
国内企业中，江苏中能已率先突破硅烷流化床法技术，首套2.5万吨硅烷流化床法多晶硅项目已于2014年9月建成投入试生产。而国外多晶巨头也开始采取用FBR技术转让的形式
多晶硅项目已于2014年9月建成投入试生产。而国外多晶巨头也开始采取用FBR技术转让的形式与国内企业合资办厂，如陕西天宏已与美国REC公司设立了2万吨产能的合资公司，预计于2016年达产。目前国内领先的
化差异并不大，以量取胜的我国企业在未来几年仍能占据全球前列。 下一页 二、我国光伏中游产业链分析 2.1、电池片将硅片加工为
）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件生产成本降至2.8元/瓦，光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6-0.9元
，新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢，技术路线单一化程度偏高，产业后续发展隐患明显。国内光伏制造业关键工艺技术研发和基础理论研究不足，创新投入乏力，新产品、新技术储备欠缺，核心竞争力与国
，硅烷法流化床法等产业化进程加快；单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件
进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。与此同时，我国近99%光伏产品采用晶硅技术，新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢，技术路线单一化程度偏高，产业
