交通大学太阳能研究所及万阳能源科技(苏州)有限公司四家单位联合申请了科技部863重大项目MW级薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池产业化关键技术。去年12月份,这个项目科技部已经验收合格了,转换率达到20
成为新一代高效背接触硅太阳电池的典型代表。
2.HIT异质结高效N型硅太阳能电池
所谓HIT结构就是在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化
非晶硅薄膜,以此改变PN结的性能。日本三洋公司最早在HIT电池技术上取得突破。
2000年日本三洋公司研制出10平方厘米的HIT结构异质结太阳能电池。转换效率达到20.7% ,开路电压达到
积,进一步降低了载流子在电极表面的复合速率,提高了开路电压。较为出色的陷光、钝化效果,以及采用了可批量生产的丝印技术,使A-300成为新一代高效背接触硅太阳电池的典型代表。2.HIT异质结高效N型硅
10平方厘米的HIT结构异质结太阳能电池。转换效率达到20.7% ,开路电压达到719mV ,并且全部工艺可以在200℃以下实现。双面结构的HIT电池由于能接收到来自地面的反射光,不论地面是否光滑,它
,碲化镉、铜铟镓硒及砷化镓薄膜电池等)、有机和染料敏化太阳能电池三类。其中,碲化镉薄膜电池是一种以P型碲化镉(CdTe)和N型硫化镉(CdS)的异质结为基础的太阳能电池。碲化镉为Ⅱ-Ⅳ族化合物,是直接带隙
资源可以供100个年生产能力为100MW的生产线用17年到115年之间。因此,乐观看来,全球碲资源储量是可以满足生产需求的。但如果从经济层面考虑,碲原料价格的不断上涨却成为碲化镉电池产业发展的一大桎梏
聚光电池。而柔性电池、异质结电池和有机电池,申请量占比不多。从申请数量来看,薄膜电池组件已逐渐成为主流研发热点。而在薄膜电池专利申请量中,以CIS(铜铟硒)/CIGS(铜铟镓硒)薄膜电池和聚光电池的申请
量占比最大。另外,咨询机构预测2016年,全球CIGS电池的产能,将达到200亿元人民币左右,成为最大规模薄膜电池产业之一。国内申请人申请的专利主要集中于多晶硅电池、聚光电池和CIS(铜铟硒
8月13日,MW级薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池产业化关键技术863计划项目中期检查会议在上海微系统所嘉定分部召开。科技部高技术中心能源处副处长朱卫东和863检查组专家一行11人对项目进行检查。上海微
及砷化镓薄膜电池等)、有机和染料敏化太阳能电池三类。其中,碲化镉薄膜电池是一种以P型碲化镉(CdTe)和N型硫化镉(CdS)的异质结为基础的太阳能电池。碲化镉为Ⅱ-Ⅳ族化合物,是直接带隙半导体,光吸收
看来,全球碲资源储量是可以满足生产需求的。但如果从经济层面考虑,碲原料价格的不断上涨却成为碲化镉电池产业发展的一大桎梏。2000年,当全球碲化镉薄膜太阳能电池还没有大规模生产时,碲原料价格每公斤仅为
。各国政府日益重视太阳能行业的发展,在新能源政策的大力扶持下,从2004年开始光伏太阳能电池产业迎来了快速发展期。目前全球光伏市场增长最快的分别为德国、中国和美国。中国太阳能电池产量均以100%以上的
高效率太阳能电池结构是:交指式背接触(IBC)太阳能电池,非晶Si/N-Si异质结(HIT)太阳能电池,普通电池结构PANDA太阳能电池。
1.交指式背接触的太阳能电池
开始光伏太阳能电池产业迎来了快速发展期。目前全球光伏市场增长最快的分别为德国、中国和美国。中国太阳能电池产量均以100%以上的年增长率快速发展,2012年光伏组件的产能为37GW,产量为21.1GW,占
密切相关,同时太阳能电池的结构也决定着电池的制造成本。目前研发的高效率晶体硅Si太阳能电池的种类较多,有代表性的三种高效率太阳能电池结构是:交指式背接触(IBC)太阳能电池,非晶Si/N-Si异质结
4月22日,宜兴市太阳能发电技术企业研发中心在国电科环所属国电光伏有限公司正式挂牌。 该研发中心研究方向是传统晶硅电池的工艺优化及新工艺开发、硅基薄膜电池及新产品研发、高效异质结太阳能电池及其产业化、砷化镓电池产业化、电站系统集成技术研究等。