波长光的透射率为37.1%,而其他三种加入抗紫外剂的EVA对在360nm波长以下范围内的光是截止的。但现在电池厂家为提高太阳电池的转换效率,开始采用高方阻、密栅的工艺,高方阻电池和常规的P型电池的光谱
作者 : 王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华,中电电气南京光伏有限公司研发中心摘要晶体硅太阳电池封装成组件后,其实际功率通常会小于理论功率,称之为功率损失或封装损失(powerloss)。本文对
,开始采用高方阻、密栅的工艺,高方阻电池和常规的P型电池的光谱响应是不相同的,图四显示的是效率相近的常规电池(CellI)和高方阻电池(CellII)的内量子效率曲线对比图,可以看出,高方阻电池在短波
索比光伏网讯:作者 : 王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华,中电电气南京光伏有限公司研发中心 摘要: 晶体硅太阳电池封装成组件后,其实际功率通常会小于理论功率,称之为功率损失或封装损失
(1972)是为通信卫星开发的。因其浅结(0.1一0.2μm)密栅(30/cm)、减 反射(Ta2O5—短波透过好)而获得高效率。在一段时间里,浅结被认为是高效的关键技术之一而被采用。 (3
空间应用不断扩大,工艺不断改进,电他设计逐步定型。这是硅太阳电池发展的第一个时期。第二个时期开始于70年代初,在这个时期背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中