实现

胍盐和硫脲衍生物在抑制浅层和深层缺陷、调控钙钛矿结晶以及提升钙钛矿太阳能电池性能方面具有重要作用。本文河北工业大学陈聪、陕西师范大学刘生忠、成都理工大学蒲生彦和段玉伟等人设计了一种不对称的异硫脲-胍杂化二盐酸盐分子，将两种功能基团整合在噻唑骨架上，以克服长期以来被忽视的胍盐与硫脲添加剂之间的竞争关系。

通过溶液法制备高性能钙钛矿太阳能电池有利于低成本的商业化生产，因此在溶液和固态阶段稳定钙钛矿至关重要。为解决这一问题，研究人员引入了4-苯肼来改性钙钛矿溶液，从而显著提高了其储存稳定性。随后，使用改性后的溶液制备PSCs时，无论钙钛矿溶液老化时间如何，都获得了显著提高且高度一致的光电转换效率，并且具有优异的运行稳定性，能够在1830小时内保持PCE≥92%。这项工作极大地有助于理解和改性钙钛矿在溶液和固态阶段的降解。

实现高量子效率与光谱稳定性的蓝光钙钛矿发光仍具挑战。本文韩国庆熙大学JaeWoongJung等人提出一种使用硫脲作为添加剂的多价调控策略，制备出相位纯净的准二维钙钛矿薄膜。最终，含硫脲的准二维钙钛矿发光体在466nm处实现纯蓝光发射，半高宽仅16nm，对应CIE色坐标，覆盖约99%Rec.2100蓝光原色标准。本研究展示了多价分子工程在推动高性能、色纯蓝光PeLEDs方面的潜力。

在宽禁带钙钛矿太阳能电池中，钙钛矿薄膜的光致相分离以及自组装单分子层/钙钛矿界面的非辐射复合严重制约了器件效率和稳定性。本文中国科学院大学刘畅等人提出了一种利用可控路易斯碱小分子改善Me-4PACz/钙钛矿界面的策略，有效抑制界面缺陷并促进高质量钙钛矿结晶。经TPP处理的单结电池在1.77eV带隙下实现了20.46%的光电转换效率和1.34V的高开路电压，是该带隙范围内报道的最高效率之一。

倒置结构钙钛矿量子点发光二极管因其与n型薄膜晶体管驱动的有源矩阵面板兼容，在下一代显示技术中具有重要前景。然而，ZnO电子传输层与钙钛矿量子点之间的界面反应会导致严重的降解和荧光猝灭，限制器件效率和运行稳定性。为此，南京理工大学徐勃和瑞典林雪平大学GlibV.Baryshnikov等人引入了一种双协同界面钝化策略，采用季戊四醇四作为多功能缓冲层。本工作确立了基于PETMP的钝化方法在高性能倒置Pe-QLED及其他光电器件中的变革潜力。

上海交通大学、华东理工大学等研究团队合作，通过溶剂工程调控结晶过程，开发出一种制备大面积、致密均匀窄带隙钙钛矿薄膜的新方法。图5展示了基于优化NBG钙钛矿薄膜的全钙钛矿串联微型组件的性能。结论展望本研究通过吡啶辅助溶剂工程与真空退火工艺相结合，成功实现大面积、高质量窄带隙钙钛矿薄膜的可控制备，并在此基础上构建了效率达22.9%的全钙钛矿叠层光伏小组件。

论文总览针对倒置PSCs中自组装分子在氧化铟锡界面上吸附构型难以精确调控的瓶颈问题，河大申楠/陈石、港城大曲歌平/AlexK.-Y.Jen等人创新性地提出了通过精控共组装策略实现SAM取向调控的新方法。研究以Ph-4PACz为主体SAM，引入BCA与BSCA作为共组装分子，利用理论模拟与实验验证相结合，系统揭示了共组装分子对Ph-4PACz取向、薄膜均匀性、能级排列及界面质量的影响机制。图e的XPS显示In3d峰蓝移，证实锚定。

金属卤化物钙钛矿在场效应晶体管中展现出巨大潜力，但N型铅基钙钛矿FETs仍面临高缺陷密度、离子迁移和重复性差等关键挑战。本研究国防科技大学陈晨和湖南大学胡袁源等人提出一种简单而有效的超薄TiO插层策略，从根本上改变了铅基钙钛矿FETs的制备方式。综合表征表明，TiO插层可增强前驱体润湿性、促进更大更均匀的晶粒形成、降低缺陷密度，并有效抑制非辐射复合和离子迁移。

纯晶体学取向、精确定位和高质量的钙钛矿单晶阵列确保了低阈值、定向发射激光的实现。此外，基于亚波长纳米结构单晶阵列，我们还展示了高性能偏振光探测器。这项开创性工作为钙钛矿单晶功能光电器件的晶圆级集成提供了新策略与新机遇。

自组装分子作为空穴选择层在钙钛矿太阳能电池中取得了巨大成功。然而，有效调控杂化自组装分子在氧化铟锡衬底上的吸附构型仍具挑战，这直接影响其取向与均匀性。增强埋底界面质量与电荷传输：BSCA共组装诱导的垂直排列促进更致密、均匀的SAM覆盖，提升钙钛矿结晶质量，加快电荷提取并有效抑制非辐射复合。