多结太阳能电池

)2014年将形成抗衡晶硅太阳能市场的竞争力。HCPV是指通过菲涅耳透镜汇聚后的太阳光，经高转化效率的多结太阳能电池，直接转换为电能的技术，是光伏发电未来方向之一，具有转换效率高，规模化优势明显的特点

产业趋势和供应链的缜密分析，提出高倍聚光光伏（HCPV）2014年将形成抗衡晶硅太阳能市场的竞争力。 　　HCPV是指通过菲涅耳透镜汇聚后的太阳光，经高转化效率的多结太阳能电池，直接转换为电能的

晶体硅和薄膜太阳能光伏电池是现在乃至未来十年的两大主要技术阵营，晶体硅太阳能电池以高转化效率在过去和现在都主导着光伏市场。而薄膜电池在原有转化效率上突破性的进展以及相对低廉的成本在近两年吸引了投资者
、MC、RF溅射技术）以及PECVD技术等方面处于国内领先，并有多项科研成果获得国家专利。近年来，为多个院校、研究院所开发制造多台用于研究薄膜太阳能电池的实验室设备。在拥有成熟的真空技术的基础上

MOCVD生长薄膜，然后分离薄膜，并复用这个晶圆，由此得到极薄可弯曲的薄膜，它可以做成任何形状，这种平板式单结（single junction）太阳能电池可以有高于其他工艺的转换效率。而多结
在目前实用太阳能电池技术中，多数是基于多晶硅或者单晶硅材料，其转换效率最多18%左右，而来自美国硅谷的Alta Devices公司采用推出的一种新型可弯曲可嵌入太阳能电池，它的转换效率达到惊人的29

太阳能利用技术，被认为是太阳能发电的第三代技术的聚光光伏以其高光电转换效率已引起了业内的广泛关注。而高倍聚光光伏则是通过超过300倍以上的聚焦光学系统，将太阳光汇聚在一小块多结Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池上，通过光电
决定。太阳能电池本身的特性决定了高倍聚光光伏的高效转换，高倍聚光光伏技术采用的是多结Ⅲ-Ⅴ族化合物电池，其材料包含锗、砷化镓、镓铟磷等多种不同的半导体材料，而每一种材料可对应不同的太阳光谱，能够对

认为是太阳能发电的第三代技术的聚光光伏以其高光电转换效率已引起了业内的广泛关注。而高倍聚光光伏则是通过超过300倍以上的聚焦光学系统，将太阳光汇聚在一小块多结Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池上，通过光电转化进行发电，为
，土地还可以继续种植草坪、低矮灌木等综合利用。最后，经过相关测算数据显示，晶体硅及薄膜太阳能电池的理论转换能大约能达到28%，而多结的III-V 族电池理论转换率可超过60%，可见，目前聚光

太阳能利用技术，被认为是太阳能发电的第三代技术的聚光光伏以其高光电转换效率已引起了业内的广泛关注。而高倍聚光光伏则是通过超过300倍以上的聚焦光学系统，将太阳光汇聚在一小块多结Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池上，通过
精度决定。太阳能电池本身的特性决定了高倍聚光光伏的高效转换，高倍聚光光伏技术采用的是多结Ⅲ-Ⅴ族化合物电池，其材料包含锗、砷化镓、镓铟磷等多种不同的半导体材料，而每一种材料可对应不同的太阳光谱，能够对

薄膜硅/晶体硅异质结等新型太阳能电池成套关键技术。 （四）薄膜电池 重点发展非晶与微晶相结合的叠层和多结薄膜电池。降低薄膜电池的光致衰减，鼓励企业研发5.5代以上大面积高效率硅薄膜电池，开发柔性
研发及应用水平 10 （三）提高太阳能电池的性能，不断降低产品成本 10 （四）促进光伏产品应用，扩大光伏发电市场 11 （五）完善光伏产业配套服务体系建设 11 五、十二五发展重点 11

用功率调节器中配备薄膜电容器也将不再是梦想。 在太阳能电池领域，随着全量收购制度的实施，日本百万瓦级太阳能发电系统的建设计划受到了关注。受其影响，类似薄膜电容器的技术开发也在踏实地推广。结晶硅类、CIS类、有机薄膜类，化合物多结类太阳能电池更是由日本企业引领技术进化。（记者：河合 基伸）

PV器件不合适的材料。我们在硅上大规模集成多结太阳能电池的方法，是基于制作在Si（100）上生长设计的虚拟Ge模板，接着III-V MOCVD。结果，这种Ge/Si模板可以是有效光伏器件的一部分。理论
公司，已经开发了碟技术（图1），它采用密集的高效、高性能三结CPV太阳能电池阵列，与空间所用的类似。在这种碟系统中，接收器组件（它安装在收集阳光的椭圆焦点）包含2000个以上的CPV太阳能电池。可惜的