多硅晶

有报道用SiC14:H2或者SiF4:H2为气源沉积多晶硅，温度较低，在300℃左右即可获得多晶硅，但用CVD法制备得多晶硅晶粒尺寸小，一般不超过50nm，晶内缺陷多，晶界多。 金属横向诱导法

替代产品，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池是较好的选择。 　　制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。多晶硅

。　　太阳能电池原料的生产是光伏产业链中最关键的一环，而制造太阳能电池的高纯度多晶硅绝大部分需要依赖进口。　　这个硅晶纯度接近100%。目前这种技术基本控制在日本的Tokuyama、三菱、住友公司，美国的

坩埚软化点低、寿命短、易下陷，单晶一旦断苞，几次回熔后很难再长出单晶。此外，石英坩埚下陷后，石墨坩埚裸露，引起碳含量超标。国产坩埚内表面气泡多，杂质点、斑点多，拉晶过程中脱落下的石英砂容易使单晶断苞
直拉法生产硅单晶，必须使用石英坩埚。石英坩埚按生产的硅单晶的级别分类有电子级和太阳能级，而电子级又根据产品的类别对石英坩埚有不同的要求。多年来通过石英坩埚及硅材料厂家的相互配合与支持，石英坩埚的

　　单晶硅棒品质规格： 单晶硅棒的主要技术参数 型号 P型或A型 晶向 111100 电阻率
。 　　（2）加工工艺知识 　　多晶硅加工成单晶硅棒： 　　多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种： 　　CZ（Czochralski）法 　　FZ（Float-Zone Technique）法

；利用非晶硅太阳电池发电，与常规能源竞争。 70年代曾发生过有名的能源危机，这种背景催促科学家把对a-Si材料的一般性研究转向廉价太阳电池应用技术创新，这种创新实际上又是非晶半导体向晶体半导体的
，但毕竟为非晶半导体器件提供了理论上的依据。1．3半导体能带结构简介 固体能带理论是把量子力学原理用于固态多体系统推算出来的。即，在特定的晶格和相应的电势场分布下求解薛定愕方程，获得体系中电子态按

太阳能热发电市场。? 2.2太阳能光电技术及其产业? 2.2.1太阳能光电已成为全球发展最快的能源? 50年代第一块实用的硅太阳电池的问世，揭开了光电技术的序幕，也揭开了人类利用太阳能 的
两倍还多，如表2所示。单晶硅太阳电池的平均效率为15%，澳大利亚新南威尔士大学的实验室效率已达24.4%；多晶硅太阳电池效率也达14%，实验室最大效率为19.8%；非晶硅太阳电池的稳定效率，单结6～9

一CFO模型和迁移边的思想。 电子能带理论是半导体材料和器件的理论基础。它可以指导半导体器件的设计和工艺，分析材料和器件的性能。尽管目前非晶硅能带理论还不很完善，也存在争议，但毕竟为非晶半导体
隙态复合，所以通常非晶材料的光电导很低，掺杂对费米能级的位置的调节作用也很小，这种a-Si材料没有有用的电子特性。氢化非晶硅材料中大部分的悬挂键被氢补偿，形成硅氢键，可以使隙态密度降至1016／cm3

是为了降低成本，其优点是能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅锭，设备比较简单，制造过程简单、省电、节约硅材料，对材质要求也较低。晶界及杂质影响可通过电他工艺改善；由于材质和晶界影响，电池效率较低。电池工艺主要

薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池是较好的选择。　　制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。多晶硅薄膜电池由于所使用的硅