多硅晶圆

结晶硅型和薄膜硅型推出了多种制造设备。在结晶硅型方面，晶圆切片（硅晶圆切割）设备及（布线形成等）丝网印刷设备的市场份额在不断扩大。而薄膜硅型方面，则推出了制造生产线“SunFab”。 ——在LED
太阳能电池的转换效率的确只有10％左右。但已有太阳能电池厂商发布了在研发水平上达到15％左右的产品。我们也获得了在研发水平上达到15％的太阳能电池模块转换效率。对薄膜硅型电池进行改进的方案非常多，在

)并没有比硅晶圆本身薄多少，因此常造成许多硅材料在切割缺口处被浪费了。 目前开发出的新制程为采用更薄的切割线，或者采用新的切割黏液(Slurry), 甚至采用镀上金刚石(Diamond)的切割线，用以
薄膜太阳能电池技术的部份，目前技术相当多，包含了非晶硅(a-Si)技术，碲化镉(CdTe)和铜铟镓硒(CIGS)等等，不过其开发的主要的目的都是通过消除使用晶体硅的吸收层以降低成本，薄膜技术的缺点是能源转换

300微米晶圆前进到目前的 150微米晶圆，而让多晶硅使用量降低了50%。另一方面，在进行将晶圆(wafer)由硅锭(ingot)切割而出的制程时，由于切割线(wire)并没有比硅晶圆本身薄多少，因此
。100微米，常常被认为是传统晶圆切片技术的极限，但由 Silicon Genesis 所开发的新的Polymax技术可以切割到只有20微米的单晶硅薄片。在薄膜太阳能电池技术的部份，目前技术相当多

多晶硅使用量降低了50%。另一方面，在进行将晶圆(wafer)由硅锭(ingot)切割而出的制程时，由于切割线(wire)并没有比硅晶圆本身薄多少，因此常造成许多硅材料在切割缺口处被浪费了。 目前开发
，但由 Silicon Genesis 所开发的新的Polymax技术可以切割到只有20微米的单晶硅薄片。 在薄膜太阳能电池技术的部份，目前技术相当多，包含了非晶硅(a-Si)技术，碲化镉(CdTe

滨工厂的第三栋厂房已竣工，今后将陆续安装生产设备并进行调试，预计明年１２月底开始量产。届时，滨工厂的年产能将达到３４．５万千瓦，相当于目前的１．６倍多。同时，三洋在海内外的其他太阳能电池生产基地和
产能预计将增至２００８财年的４．４倍，达到１５０万千瓦，三洋在全球市场中所占份额也将从目前的第１１位升至前三位。(编辑:xiaoyao)相关链接：三洋电机专产硅锭与硅晶圆工厂正式开工　　日本三洋电机增设太阳能电池生产线 明年将量产　　三洋电机:98m的HIT太阳能电池已达到22.8％转换率

的成本和转化效率都有关系，从该图表中可以看到第三代太阳能电池的造价与第二代电池基本相当，但是效率提高了两倍多。从该图表还可以看到，第一代太阳能存在一个Shockley－Queisser极限——31％的
波的吸收。而数据也表明，结构优化后的材料对可见光波段的光波的吸收比传统结构高20％－40％。被成为“黑硅”的吸收光子的硅层也将具有微纳结构。“黑硅”是在六氯化氟气体中用飞秒级激光脉冲改造硅晶圆的表面

最赚钱的案子为主。 为提供客户更好更多元的产品，林和龙说，过去因硅料不是那么多，且单晶硅晶圆很难和大陆竞争，因此绿能是以多晶硅晶圆为主，近期大陆资金动能有限，且台湾价格上有成本优势，因此将以产品多样化为目标，开始着手生产单晶硅晶圆，尺寸等规格都在规划中。

中国台湾太阳能多晶硅晶圆厂绿能科技2009年9月26日公告，董事会通过在中国台湾与中国大陆扩产计划，台湾2009年长晶年产能扩至360百万瓦(MWp)，切片年产能扩至300百万瓦；大陆2010年长晶
持续与上游多晶硅供应厂商议价，取得优于现货价格的多晶硅；并以进阶技术制造转换效率16.2~16.4%甚至更高的高效率多芯片，也让绿能科技在品牌优势下第3季订单满载，并在稳固供应链及稳健扩充的策略考虑下

有产能告急的压力。 　　展望后续，江游分析，环境保护部日前公告的调整进口废物管理目录，其中遭到限制进口的产品，包括半导体的废晶圆、头尾料等，此举无疑限制了太阳能上游硅晶材料、硅晶圆的进口，即使要进口，也
得等待3个月的批文时间；加上有越来越多的太阳能标案要逐步释出，其中2010年的招标项目也确定达到2GW，因此短期内太阳能电池上游的多晶硅将会一直处在不够卖的窘境下。 　　多硅晶的报价，在第三季需求

模组、聚光型太阳能模组。其中，聚光型太阳能电池是聚光型太阳能电池，加高聚光镜面菲涅尔透镜及太阳光追纵器的组合，其太阳能量转换效率可达35%，较一般硅晶圆太阳能电池多1,000倍的聚光效率，发电效率因此