多晶PERC电池
多晶组件平均单瓦发电量提升约7.3% ，双面HJT 组件相比普通多晶组件平均单瓦发电量提升约15%。通过LCOE核算，目前HJT组件相比PERC组件度电成本更低，考虑到HJT未来极具潜力的降本趋势
主要包括硅矿石和高纯度硅料的开采、提炼和生产为代表的原材料生产行业，对应硅矿石开采与冶金硅提纯、多晶硅提纯、单晶/多晶硅片加工与切割等环节。 中游为行业技术核心环节，包括单晶/多晶硅电池片、电池
设计理念。平台能很好地与目前量产PERC工艺兼容，技术首次通过一台设备完成三种工艺，相对于传统LPCVD设备沉积技术，将大幅改善N型电池正面多晶硅绕度面积与掺杂多晶硅镀膜速率降低的影响。设备兼容性还体现
能很好地与目前量产PERC工艺兼容，技术首次通过一台设备完成三种工艺，相对于传统LPCVD设备沉积技术，将大幅改善N型电池正面多晶硅绕度面积与掺杂多晶硅镀膜速率降低的影响。设备兼容性还体现于硅片尺寸
元人民币。 多晶部分，持续受到印度财年前抢装、以及多晶电池片开工率低迷影响，本周价格与上周持平，目前成交价格落在每片2.8-2.85元人民币上下。短期内多晶电池片价格仍将维稳在当前水位。 组件价格
2019年在成都的异质结讨论会上公布的一张图。 横坐标是该技术对应的60片组件的标准功率，即转换效率; 纵坐标是电池片的价格; 根据目前多晶铝背场、单晶铝背场、多晶PERC、单晶PERC产品的
： 不同类型组件功率(60 片，全片) 2019年，单晶电池组件普遍采用PERC技术，功率达到 320W，较 2018 年提高15W;常规多晶黑硅组件主要功率约为 285W;PERT/TOPCon
黑硅PERC 多晶太阳电池采用背抛光工艺，其背面刻蚀深度在4.00.2 m，在800～1050 nm的光学波长范围内，其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右;采用氧化铝及氮化硅
在电池端的转换效率优势逐步体现。2018 年以来，随着 PERC 电池片技术的推出，单晶硅片转换效率优势更为明显，电池片厂商主动向单晶 PERC 产线转移， 单晶逐步完成对多晶的替代
2019年，我国电池片产量约为108.6GW，同比增长27.8%，电池片产量超过2GW的企业有20家，占总产量的77.7%，集中度进一步提升。整体特点表现为PERC电池快速增长、投资成本稳步下降
